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题名

半导体外延结构、制备方法结构及半导体器件

发明人
申请号
201911026043.6
申请日期
2019-10-25
专利号
201911026043.6
专利状态
申请中
专利类型
发明专利
学校署名
第一
语种
中文
来源库
人工提交
成果类型专利
条目标识符http://sustech.caswiz.com/handle/2SGJ60CL/124650
专题工学院_深港微电子学院
作者单位
南方科技大学, 深港微电子学院
推荐引用方式
GB/T 7714
何佳琦,汪青,于洪宇. 半导体外延结构、制备方法结构及半导体器件. 201911026043.6.
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