题名 | E-Mode p-n Junction/AlGaN/GaN (PNJ) HEMTs |
作者 | |
通讯作者 | Hua, Mengyuan |
发表日期 | 2020-04
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DOI | |
发表期刊 | |
ISSN | 1558-0563
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卷号 | 41期号:4页码:545-548 |
关键词 | |
相关链接 | [IEEE记录] |
收录类别 | |
学校署名 | 第一
; 通讯
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ESI学科分类 | ENGINEERING
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来源库 | IEEE
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全文链接 | https://ieeexplore.ieee.org/stamp/stamp.jsp?tp=&arnumber=9017996 |
引用统计 |
被引频次[WOS]:83
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成果类型 | 期刊论文 |
条目标识符 | http://sustech.caswiz.com/handle/2SGJ60CL/125525 |
专题 | 工学院_电子与电气工程系 |
作者单位 | 1.Southern Univ Sci & Technol, Dept Elect & Elect Engn, Shenzhen 518055, Peoples R China 2.Hong Kong Univ Sci & Technol, Dept Elect & Comp Engn, Hong Kong, Peoples R China |
第一作者单位 | 电子与电气工程系 |
通讯作者单位 | 电子与电气工程系 |
第一作者的第一单位 | 电子与电气工程系 |
推荐引用方式 GB/T 7714 |
Wang, Chengcai,Hua, Mengyuan,Chen, Junting,et al. E-Mode p-n Junction/AlGaN/GaN (PNJ) HEMTs[J]. IEEE Electron Device Letters,2020,41(4):545-548.
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APA |
Wang, Chengcai.,Hua, Mengyuan.,Chen, Junting.,Yang, Song.,Zheng, Zheyang.,...&Chen, Kevin J..(2020).E-Mode p-n Junction/AlGaN/GaN (PNJ) HEMTs.IEEE Electron Device Letters,41(4),545-548.
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MLA |
Wang, Chengcai,et al."E-Mode p-n Junction/AlGaN/GaN (PNJ) HEMTs".IEEE Electron Device Letters 41.4(2020):545-548.
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条目包含的文件 | 条目无相关文件。 |
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