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题名

E-Mode p-n Junction/AlGaN/GaN (PNJ) HEMTs

作者
通讯作者Hua, Mengyuan
发表日期
2020-04
DOI
发表期刊
ISSN
1558-0563
卷号41期号:4页码:545-548
关键词
相关链接[IEEE记录]
收录类别
SCI ; EI
学校署名
第一 ; 通讯
ESI学科分类
ENGINEERING
来源库
IEEE
全文链接https://ieeexplore.ieee.org/stamp/stamp.jsp?tp=&arnumber=9017996
引用统计
被引频次[WOS]:83
成果类型期刊论文
条目标识符http://sustech.caswiz.com/handle/2SGJ60CL/125525
专题工学院_电子与电气工程系
作者单位
1.Southern Univ Sci & Technol, Dept Elect & Elect Engn, Shenzhen 518055, Peoples R China
2.Hong Kong Univ Sci & Technol, Dept Elect & Comp Engn, Hong Kong, Peoples R China
第一作者单位电子与电气工程系
通讯作者单位电子与电气工程系
第一作者的第一单位电子与电气工程系
推荐引用方式
GB/T 7714
Wang, Chengcai,Hua, Mengyuan,Chen, Junting,et al. E-Mode p-n Junction/AlGaN/GaN (PNJ) HEMTs[J]. IEEE Electron Device Letters,2020,41(4):545-548.
APA
Wang, Chengcai.,Hua, Mengyuan.,Chen, Junting.,Yang, Song.,Zheng, Zheyang.,...&Chen, Kevin J..(2020).E-Mode p-n Junction/AlGaN/GaN (PNJ) HEMTs.IEEE Electron Device Letters,41(4),545-548.
MLA
Wang, Chengcai,et al."E-Mode p-n Junction/AlGaN/GaN (PNJ) HEMTs".IEEE Electron Device Letters 41.4(2020):545-548.
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