| 题名 | Quasi-Normally-Off AlGaN/GaN HEMTs with Strained Comb Gate for Power Electronics Applications |
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| 通讯作者 | Hongyu,Yu |
| 发表日期 | 2020
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| 会议名称 | EDTM
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| 会议日期 | 6-21 April 2020
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| 会议地点 | Penang, Malaysia
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| 学校署名 | 通讯
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| 成果类型 | 会议论文 |
| 条目标识符 | http://sustech.caswiz.com/handle/2SGJ60CL/125819 |
| 专题 | 工学院_深港微电子学院 |
| 作者单位 | 南方科技大学深港微电子学院 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 |
Wei-Chih,Cheng,Minghao,He,Fanming,Zeng,et al. Quasi-Normally-Off AlGaN/GaN HEMTs with Strained Comb Gate for Power Electronics Applications[C],2020.
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| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | 操作 | |
| 郑韦志2019-12-Quasi-Nor（1076KB） | -- | -- | 限制开放 | -- | ||
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