| 题名 | Study on the Optimization of Off-State Breakdown Performance of p-GaN HEMTs |
| 作者 | |
| 通讯作者 | Hongyu,Yu |
| 发表日期 | 2020
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| 会议名称 | 2020 4th IEEE Electron Devices Technology & Manufacturing Conference (EDTM)
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| 会议日期 | March 16 – 18, 2020.
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| 会议地点 | Penang, Malaysia
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| 学校署名 | 通讯
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| 收录类别 | |
| EI入藏号 | 20204109314633
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| EI主题词 | High electron mobility transistors
; Integrated circuits
; Leakage currents
; Wide band gap semiconductors
; III-V semiconductors
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| EI分类号 | Electricity: Basic Concepts and Phenomena:701.1
; Semiconducting Materials:712.1
; Semiconductor Devices and Integrated Circuits:714.2
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| 成果类型 | 会议论文 |
| 条目标识符 | http://sustech.caswiz.com/handle/2SGJ60CL/125820 |
| 专题 | 工学院_深港微电子学院 |
| 作者单位 | 南方科技大学深港微电子学院 |
| 通讯作者单位 | 深港微电子学院 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 |
Fanming,Zeng,Qing,Wang,Shuxun,Lin,et al. Study on the Optimization of Off-State Breakdown Performance of p-GaN HEMTs[C],2020.
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| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | 操作 | |
| 曾凡明 2019-Fanming Zen（914KB） | -- | -- | 限制开放 | -- | ||
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