| 题名 | Thermal Modeling of GaN HEMT Devices With Diamond Heat-Spreader |
| 作者 | |
| 通讯作者 | Yu, Hongyu; Guo, Yuejin |
| 发表日期 | 2020
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| DOI | |
| 发表期刊 | |
| ISSN | 2168-6734
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| 卷号 | 8页码:986-991 |
| 关键词 | |
| 相关链接 | [IEEE记录] |
| 收录类别 | |
| 学校署名 | 第一
; 通讯
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| EI入藏号 | 20204209360624
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| EI主题词 | Gallium nitride
; Heat resistance
; High electron mobility transistors
; Silicon carbide
; Thermoanalysis
; Heating
; Diamonds
; Thermal conductivity
; III-V semiconductors
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| EI分类号 | Gems:482.2.1
; Thermodynamics:641.1
; Semiconducting Materials:712.1
; Semiconductor Devices and Integrated Circuits:714.2
; Chemistry:801
; Inorganic Compounds:804.2
; Temperature Measurements:944.6
|
| 来源库 | IEEE
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| 全文链接 | https://ieeexplore.ieee.org/stamp/stamp.jsp?tp=&arnumber=9194004 |
| 引用统计 |
被引频次[WOS]：8
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| 成果类型 | 期刊论文 |
| 条目标识符 | http://sustech.caswiz.com/handle/2SGJ60CL/199890 |
| 专题 | 工学院_深港微电子学院 |
| 作者单位 | 1.Southern Univ Sci & Technol, Sch Microelect, Shenzhen 518055, Peoples R China 2.GaN Device Engn Technol Res Ctr Guangdong, Shenzhen 518055, Peoples R China 3.Key Lab Third Generat Semicond, Shenzhen 518055, Peoples R China |
| 第一作者单位 | 深港微电子学院 |
| 通讯作者单位 | 深港微电子学院 |
| 第一作者的第一单位 | 深港微电子学院 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 |
Mahrokh, M.,Yu, Hongyu,Guo, Yuejin. Thermal Modeling of GaN HEMT Devices With Diamond Heat-Spreader[J]. IEEE Journal of the Electron Devices Society,2020,8:986-991.
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| APA |
Mahrokh, M.,Yu, Hongyu,&Guo, Yuejin.(2020).Thermal Modeling of GaN HEMT Devices With Diamond Heat-Spreader.IEEE Journal of the Electron Devices Society,8,986-991.
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| MLA |
Mahrokh, M.,et al."Thermal Modeling of GaN HEMT Devices With Diamond Heat-Spreader".IEEE Journal of the Electron Devices Society 8(2020):986-991.
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| 条目包含的文件 | 条目无相关文件。 | |||||
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