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题名

4点曲げ試験による単結晶Siウエハの加工面性状評価

作者
发表日期
2019
DOI
发表期刊
ISSN
1346-4930
卷号19期号:2页码:131-136
摘要
Chemical mechanical polishing (CMP) is one of the effective surface-finishing methods for machining Si wafers. However, the conventional CMP process using free abrasive slurry has apparent disadvantages, such as low efficiency, high environmental burden and cost. As a promising technology for the machining of large-sized Si wafer, chemo-mechanical grinding (CMG) integrates the advantages of fixed abrasive machining and CMP process, and hence can generate superior surface quality comparable to that by CMP while maintaining the high geometric accuracy. In this laboratory, we proposed the ultrasonic assisted chemo-mechanical grinding (UA-CMG) process using fixed abrasive to enhance the material removal rate, attain the work-surface with little damage or defects. Although UA-CMG is effective for the improvement of surface roughness and surface morphologies, machined surface characteristics need to be further investigated. In this paper, the evaluation of machined surface texture (Particularly, tool mark and machining defects) using material testing technique is reported. Four-point bending tests of the single-crystal Si wafer processed using UA-CMG are conducted and the influence of surface texture on mechanical properties has been evaluated.
关键词
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语种
日文
学校署名
其他
来源库
WanFang
万方记录号
15e3e826eaa2eeecdffd5fa069ce08b9
引用统计
被引频次[WOS]:0
成果类型期刊论文
条目标识符http://sustech.caswiz.com/handle/2SGJ60CL/206085
专题人文社会科学学院_语言中心
工学院
作者单位
1.南方科技大学语言中心,广东 深圳秋田県立大学システム科学技術学部
2.秋田県立大学
3.南方科技大学工学院
4.秋田県立大学
推荐引用方式
GB/T 7714
Tatsuya FUJII,Takuto MURAKAMI,Yongbo WU,等. 4点曲げ試験による単結晶Siウエハの加工面性状評価[J]. 実験力学,2019,19(2):131-136.
APA
Tatsuya FUJII.,Takuto MURAKAMI.,Yongbo WU.,Mitsuyoshi NOMURA.,藤井 達也.,...&野村 光由.(2019).4点曲げ試験による単結晶Siウエハの加工面性状評価.実験力学,19(2),131-136.
MLA
Tatsuya FUJII,et al."4点曲げ試験による単結晶Siウエハの加工面性状評価".実験力学 19.2(2019):131-136.
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