南方科技大学知识苑(SUSTech KC): 三方铁酸铋薄膜中应变诱导的相变与相关特性

题名	三方铁酸铋薄膜中应变诱导的相变与相关特性
作者	黄传威; 陈朗
发表日期	2014
会议名称	第十五届全国电介质、材料与应用学术会议
页码	23-23
会议日期	2014
会议地点	湘潭
会议录编者/会议主办者	中国物理学会电介质物理专业委员会
摘要	随着电子器件的小型化,表面和界面效应非常显著并使得材料出现许多新颖的特性.同其块状材料相比,由于衬底与薄膜的晶格失配度导致的界面张力的影响,ABO3 铁性体薄膜的相图和许多特性(包括其极化强度,介电/压电等性能)都会发生显著的改善.我们研究了界面应变对三方铁酸铋薄膜BiFeO3(BFO)的影响.研究结果表明:界面正应力可以使三方BFO铁电薄膜发生一系列相变.随着BFO 薄膜界面正应力的增大(压应力—拉应力),相应的相变由四方相--单斜相MA--三方相--单斜相MB--正交相.相对于压应变诱导的介于四方T 和三方R 之间的准同型相界,1 我们的研究结果首次表明界面正应力可以诱导另一新的准同型相界(拉应力诱导的介于三方相和单斜相MB 之间),且在此相界附近具有优异的压电和介电性能.2 同时研究了切应力对三方外延铁电薄膜的影响,结果揭示三方BFO 薄膜在切应力的作用使薄膜在四方相T 与MA 相之间出现一个新Mc 相.
关键词	半导体材料电子自旋铁酸铋薄膜应变诱导相变
学校署名	第一
语种	中文
相关链接	[万方记录]
来源库	WanFang
万方记录号	9231323
成果类型	会议论文
条目标识符	http://sustech.caswiz.com/handle/2SGJ60CL/206195
专题	理学院_物理系
作者单位	物理系,南方科技大学,深圳,518055
第一作者单位	物理系
第一作者的第一单位	物理系
推荐引用方式 GB/T 7714	黄传威,陈朗. 三方铁酸铋薄膜中应变诱导的相变与相关特性[C]//中国物理学会电介质物理专业委员会,2014:23-23.