| 题名 | 六角相Bi掺杂Cr1-δTe薄膜的外延生长与磁性调控 |
| 作者 | |
| 发表日期 | 2017
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| 会议名称 | 第十二届全国分子束外延学术会议
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| 页码 | 44-45
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| 会议日期 | 2017
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| 会议地点 | 太原
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| 会议录编者/会议主办者 | 中国有色金属学会%中国电子学会
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| 摘要 | 作为一种常见的硫族过渡金属化合物,具有良好铁磁性的碲化铬在自旋电子学研究领域表现出可靠的应用潜力.从上世纪中叶开始,科学家就在碲化铬体系上陆续做了大量的研究工作,合成出了Cr1-xTe,Cr2Te3,Cr3Te4,Cr5Te6,Cr5Te8等不同组分的碲化铬块材,并对其结构,磁性及电输运等物性进行了系统研究[1][2],其中以NiAs型的六角相碲化铬上的工作最具代表性.近些年来,利用分子束外延技术进行高质量的六角相CrTe薄膜的外延生长以及器件制备成为了此领域的主要研究方向. |
| 关键词 | |
| 学校署名 | 第一
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| 语种 | 中文
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| 相关链接 | [万方记录] |
| 来源库 | WanFang
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| 万方记录号 | 9618389
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| 成果类型 | 会议论文 |
| 条目标识符 | http://sustech.caswiz.com/handle/2SGJ60CL/206219 |
| 专题 | 理学院_物理系 |
| 作者单位 | 南方科技大学 物理系 广东省深圳市南山区学苑大道1088 号 |
| 第一作者单位 | 物理系 |
| 第一作者的第一单位 | 物理系 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 |
陈俊树,周良,何洪涛,等. 六角相Bi掺杂Cr1-δTe薄膜的外延生长与磁性调控[C]//中国有色金属学会%中国电子学会,2017:44-45.
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