| 题名 | 面向单晶SiC原子级表面制造的等离子体辅助抛光技术 |
| 作者 | |
| 发表日期 | 2021-01-14
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| 发表期刊 | |
| 页码 | 33 |
| 摘要 | 目前Si基半导体由于其自身材料特性的限制，已经越来越难以满足高速发展的现代电力电子技术对半导体器件的性能要求。SiC作为新一代半导体材料具有显著的性能优势，但由于其属于典型的难加工材料，实现SiC晶圆的高质量与高效率加工成为了推动其产业化应用进程的关键。本综述在回顾近年来SiC超精密加工技术研究进展的基础上，重点介绍了一种基于等离子体氧化改性的SiC高效超精密抛光技术，分析了该技术的材料去除机理、典型装置、改性过程及抛光效果。分析结果表明，该技术具有较高的去除效率，能够获得原子级平坦表面，并且不会产生亚表面损伤。同时针对表面改性辅助抛光技术加工SiC表面过程中出现的台阶现象，探讨了该台阶结构的产生机理及调控策略。最后对等离子体辅助抛光技术的发展与挑战进行了展望。 |
| 关键词 | |
| 收录类别 | |
| 语种 | 中文
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| 学校署名 | 第一
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| CSCD记录号 | CSCD:6943786
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| 来源库 | CNKI
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| 引用统计 | |
| 成果类型 | 期刊论文 |
| 条目标识符 | http://sustech.caswiz.com/handle/2SGJ60CL/218956 |
| 专题 | 前沿与交叉科学研究院 工学院_机械与能源工程系 |
| 作者单位 | 1.南方科技大学前沿与交叉科学研究院 2.南方科技大学机械与能源工程系 3.日本大阪大学工学院精密科学与技术系 |
| 第一作者单位 | 前沿与交叉科学研究院; 机械与能源工程系 |
| 第一作者的第一单位 | 前沿与交叉科学研究院 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 |
吉建伟,山村和也,邓辉. 面向单晶SiC原子级表面制造的等离子体辅助抛光技术[J]. 物理学报,2021:33.
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| APA |
吉建伟,山村和也,&邓辉.(2021).面向单晶SiC原子级表面制造的等离子体辅助抛光技术.物理学报,33.
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| MLA |
吉建伟,et al."面向单晶SiC原子级表面制造的等离子体辅助抛光技术".物理学报 (2021):33.
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| 条目包含的文件 | 条目无相关文件。 | |||||
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