| 题名 | OFF-State Drain-Voltage-Stress-Induced VTH Instability in Schottky-Type p-GaN Gate HEMTs |
| 作者 | |
| 通讯作者 | Hua, Mengyuan |
| 发表日期 | 2021-06
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| DOI | |
| 发表期刊 | |
| ISSN | 2168-6785
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| 卷号 | 9期号:3页码:3686-3694 |
| 关键词 | |
| 相关链接 | [IEEE记录] |
| 收录类别 | |
| 学校署名 | 第一
; 通讯
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| EI入藏号 | 20212410491443
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| EI主题词 | Buffer layers
; Gallium nitride
; III-V semiconductors
; Stability
; Temperature distribution
; Threshold voltage
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| EI分类号 | Thermodynamics:641.1
; Electricity: Basic Concepts and Phenomena:701.1
; Semiconductor Devices and Integrated Circuits:714.2
; Crystalline Solids:933.1
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| 来源库 | IEEE
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| 全文链接 | https://ieeexplore.ieee.org/stamp/stamp.jsp?tp=&arnumber=9144186 |
| 引用统计 |
被引频次[WOS]：41
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| 成果类型 | 期刊论文 |
| 条目标识符 | http://sustech.caswiz.com/handle/2SGJ60CL/222929 |
| 专题 | 工学院_电子与电气工程系 |
| 作者单位 | 1.Southern Univ Sci & Technol, Dept Elect & Elect Engn, Shenzhen 518055, Peoples R China 2.Peking Univ, Inst Microelect, Beijing 100871, Peoples R China 3.Hong Kong Univ Sci & Technol, Dept Elect & Comp Engn, Hong Kong, Peoples R China |
| 第一作者单位 | 电子与电气工程系 |
| 通讯作者单位 | 电子与电气工程系 |
| 第一作者的第一单位 | 电子与电气工程系 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 |
Chen, Junting,Hua, Mengyuan,Wei, Jin,et al. OFF-State Drain-Voltage-Stress-Induced VTH Instability in Schottky-Type p-GaN Gate HEMTs[J]. IEEE Journal of Emerging and Selected Topics in Power Electronics,2021,9(3):3686-3694.
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| APA |
Chen, Junting.,Hua, Mengyuan.,Wei, Jin.,He, Jiabei.,Wang, Chengcai.,...&Chen, Kevin J..(2021).OFF-State Drain-Voltage-Stress-Induced VTH Instability in Schottky-Type p-GaN Gate HEMTs.IEEE Journal of Emerging and Selected Topics in Power Electronics,9(3),3686-3694.
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| MLA |
Chen, Junting,et al."OFF-State Drain-Voltage-Stress-Induced VTH Instability in Schottky-Type p-GaN Gate HEMTs".IEEE Journal of Emerging and Selected Topics in Power Electronics 9.3(2021):3686-3694.
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| 条目包含的文件 | 条目无相关文件。 | |||||
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