| 名称 | Write once read many times resistance switching memory based on allinorganic perovskite CsPbBr3 quantum dot (vol 90, pg 123, 2019) |
| 作者 | |
| 发布日期 | 2021-02-01
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| 语种 | 英语
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| 相关链接 | [来源记录] |
| DOI | |
| 期刊来源 | |
| 卷号 | 112
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| 出版者 | |
| 出版地 | RADARWEG 29, 1043 NX AMSTERDAM, NETHERLANDS
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| ISSN | 0925-3467
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| 收录类别 | |
| 学校署名 | 第一
; 通讯
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| 来源库 | Web of Science
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| 通讯作者 | Zhang, Yating |
| WOS记录号 | WOS:000626140700007
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| WOS类目 | Materials Science, Multidisciplinary
; Optics
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| WOS研究方向 | Materials Science
; Optics
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| EI入藏号 | 20205209686239
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| EISSN | 1873-1252
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| ESI学科分类 | MATERIALS SCIENCE
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| 引用统计 |
被引频次[WOS]：0
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| 成果类型 | 其他 |
| 条目标识符 | http://sustech.caswiz.com/handle/2SGJ60CL/225090 |
| 专题 | 工学院_电子与电气工程系 |
| 作者单位 | 1.Southern Univ Sci & Technol, Dept Elect & Elect Engn, Shenzhen 518055, Peoples R China 2.Tianjin Univ, Sch Precis Instruments & Optoelect Engn, Key Lab Opto Elect Informat Technol, Minist Educ, Tianjin 300072, Peoples R China 3.Tianjin Univ, Sch Sci, Tianjin Key Lab Low Dimens Mat Phys & Preparing T, Tianjin 300072, Peoples R China |
| 第一作者单位 | 电子与电气工程系 |
| 通讯作者单位 | 电子与电气工程系 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 |
Chen, Zhiliang,Zhang, Yating,Yu, Yu,et al. Write once read many times resistance switching memory based on allinorganic perovskite CsPbBr3 quantum dot (vol 90, pg 123, 2019). 2021-02-01.
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| 条目包含的文件 | 条目无相关文件。 | |||||
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