题名 | 磁性起源的表面态能隙与"半磁拓扑绝缘体" |
作者 | |
发表日期 | 2021
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发表期刊 | |
ISSN | 0379-4148
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卷号 | 50期号:4页码:267 |
摘要 | 近年来,具有本征长程磁序的拓扑绝缘体Mn-Bi-Te家族成为了研究拓扑物态和量子调控的理想载体,有望在同一材料体系中实现量子反常霍尔效应、轴子绝缘态和高阶拓扑绝缘态等多种新奇拓扑物态.其中,根据拓扑量子场论的预言,轴子绝缘态可以用来观测隐藏在拓扑材料体相之内的拓扑磁电效应,甚至有望为解答宇宙中暗物质缺失的疑难提供线索.轴子绝缘体态的实现与观测需要磁性起源的拓扑表面态能隙. |
相关链接 | [万方记录] |
语种 | 中文
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学校署名 | 其他
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来源库 | WanFang
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万方记录号 | perioarticalwl202104011
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成果类型 | 期刊论文 |
条目标识符 | http://sustech.caswiz.com/handle/2SGJ60CL/229232 |
专题 | 量子科学与工程研究院 |
作者单位 | 南方科技大学 |
第一作者单位 | 南方科技大学 |
推荐引用方式 GB/T 7714 |
陈朝宇. 磁性起源的表面态能隙与"半磁拓扑绝缘体"[J]. 物理,2021,50(4):267.
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APA |
陈朝宇.(2021).磁性起源的表面态能隙与"半磁拓扑绝缘体".物理,50(4),267.
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MLA |
陈朝宇."磁性起源的表面态能隙与"半磁拓扑绝缘体"".物理 50.4(2021):267.
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