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题名

磁性起源的表面态能隙与"半磁拓扑绝缘体"

作者
发表日期
2021
发表期刊
ISSN
0379-4148
卷号50期号:4页码:267
摘要
近年来,具有本征长程磁序的拓扑绝缘体Mn-Bi-Te家族成为了研究拓扑物态和量子调控的理想载体,有望在同一材料体系中实现量子反常霍尔效应、轴子绝缘态和高阶拓扑绝缘态等多种新奇拓扑物态.其中,根据拓扑量子场论的预言,轴子绝缘态可以用来观测隐藏在拓扑材料体相之内的拓扑磁电效应,甚至有望为解答宇宙中暗物质缺失的疑难提供线索.轴子绝缘体态的实现与观测需要磁性起源的拓扑表面态能隙.
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语种
中文
学校署名
其他
来源库
WanFang
万方记录号
perioarticalwl202104011
成果类型期刊论文
条目标识符http://sustech.caswiz.com/handle/2SGJ60CL/229232
专题量子科学与工程研究院
作者单位
南方科技大学
第一作者单位南方科技大学
推荐引用方式
GB/T 7714
陈朝宇. 磁性起源的表面态能隙与"半磁拓扑绝缘体"[J]. 物理,2021,50(4):267.
APA
陈朝宇.(2021).磁性起源的表面态能隙与"半磁拓扑绝缘体".物理,50(4),267.
MLA
陈朝宇."磁性起源的表面态能隙与"半磁拓扑绝缘体"".物理 50.4(2021):267.
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