| 题名 | Reliability of GaN HEMT Devices |
| 作者 | |
| 发表日期 | 2017
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| 来源专著 | |
| 出版地 | PENTHOUSE LEVEL, SUNTEC TOWER 3, 8 TEMASEK BLVD, SINGAPORE, 038988, SINGAPORE
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| 出版者 | |
| 页码 | 241-260
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| WOS记录号 | WOS:000413119900009
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| 语种 | 英语
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| 收录类别 | |
| 学校署名 | 第一
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| 来源库 | Web of Science
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| 引用统计 |
被引频次[WOS]：0
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| 成果类型 | 著作章节 |
| 条目标识符 | http://sustech.caswiz.com/handle/2SGJ60CL/23876 |
| 专题 | 工学院_电子与电气工程系 |
| 作者单位 | Southern Univ Sci & Technol, Dept Elect & Elect Engn, 1088 Xueyuan Rd, Shenzhen 518055, Guangdong, Peoples R China |
| 第一作者单位 | 电子与电气工程系 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 |
Xia, Pengkun. Reliability of GaN HEMT Devices. PENTHOUSE LEVEL, SUNTEC TOWER 3, 8 TEMASEK BLVD, SINGAPORE, 038988, SINGAPORE:PAN STANFORD PUBLISHING PTE LTD,2017:241-260.
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