南方科技大学知识苑(SUSTech KC): High transmittance inorganic semiconductors as a hole-transport window for planar inverted perovskite solar cells

题名	High transmittance inorganic semiconductors as a hole-transport window for planar inverted perovskite solar cells
作者	He, Zhubing
通讯作者	He, Zhubing
DOI	10.1364/ACPC.2017.Su1H.2
发表日期	2017
会议名称	Asia Communication and Photonics Conference (ACP 2017)
ISSN	2162-108X
ISBN	978-1-7281-1633-4
会议录名称	2017 ASIA COMMUNICATIONS AND PHOTONICS CONFERENCE (ACP)
卷号	Part F83-ACPC 2017
页码	1-1
会议日期	2017-11-12
会议地点	Huanshi Dong (City Ring East) Road, Guangzhou, Uangdong, 510064, China
出版地	345 E 47TH ST, NEW YORK, NY 10017 USA
出版者	IEEE
摘要	Besides of high transmittance for window, these hole-transport inorganic materials invovled in the p-i-n device structure were modulated to fit the energy diagram of the whole device through doping or surface modifications. Systematical photo-physical characterization tools were used to analyze the effect of bandgap engineering. © 2017 OSA.
关键词	Photovoltaic cells Inorganic materials Asia Photonics Materials science and technology Photovoltaic systems
学校署名	第一 ; 通讯
语种	英语
相关链接	[来源记录]
收录类别	CPCI-S ; EI
WOS研究方向	Optics ; Telecommunications
WOS类目	Optics ; Telecommunications
WOS记录号	WOS:000463367800386
EI入藏号	20180704784133
EI主题词	Hole Mobility ; Perovskite ; Photonics ; Semiconductor Doping ; Solar Cells
EI分类号	Minerals:482.2 ; Solar Cells:702.3 ; Semiconducting Materials:712.1 ; Light/optics:741.1
来源库	Web of Science
全文链接	https://ieeexplore.ieee.org/stamp/stamp.jsp?tp=&arnumber=8649295
引用统计	被引频次[WOS]：0
成果类型	会议论文
条目标识符	http://sustech.caswiz.com/handle/2SGJ60CL/24757
专题	工学院_材料科学与工程系
作者单位	Southern Univ Sci & Technol, Dept Mat Sci & Engn, Shenzhen Key Lab Full Spectral Solar Elect Genera, 1088 Xueyuan Rd, Shenzhen 518055, Guangdong, Peoples R China
第一作者单位	材料科学与工程系
通讯作者单位	材料科学与工程系
第一作者的第一单位	材料科学与工程系
推荐引用方式 GB/T 7714	He, Zhubing. High transmittance inorganic semiconductors as a hole-transport window for planar inverted perovskite solar cells[C]. 345 E 47TH ST, NEW YORK, NY 10017 USA:IEEE,2017:1-1.

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