题名 | An Ultra-Low Power and Offset-Insensitive CMOS Subthreshold Voltage Reference |
作者 | |
通讯作者 | Wang, Lidan |
DOI | |
发表日期 | 2016
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ISBN | 978-1-5090-1571-9
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会议录名称 | |
页码 | 243-246
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会议日期 | 25-28 Oct. 2016
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会议地点 | Jeju, Korea, Republic of
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出版地 | 345 E 47TH ST, NEW YORK, NY 10017 USA
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出版者 | |
摘要 | An ultra-low power and offset-insensitive CMOS voltage reference circuit is presented. Due to the novel structure of employing subthreshold MOS transistors, the proposed circuit can suppress the DC offset effects of the internal amplifier. Design considerations in optimizing the power and area consumptions, and improving the power supply ripple rejection (PSRR) are presented. The voltage reference is implemented in a 0.18-mu m CMOS process. Simulation results show that the reference can run with 0.8 V supply voltage, while the power consumption is only 62nW, and the PSRR of better than -43 dB over the full frequency range is achieved. |
关键词 | |
学校署名 | 第一
; 通讯
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语种 | 英语
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相关链接 | [来源记录] |
收录类别 | |
资助项目 | SZSTI[JCYJ20160429191518358]
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WOS研究方向 | Engineering
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WOS类目 | Engineering, Electrical & Electronic
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WOS记录号 | WOS:000392651200064
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EI入藏号 | 20170603321770
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EI主题词 | CMOS integrated circuits
; Voltage measurement
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EI分类号 | Semiconductor Devices and Integrated Circuits:714.2
; Electric Variables Measurements:942.2
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来源库 | Web of Science
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全文链接 | https://ieeexplore.ieee.org/stamp/stamp.jsp?tp=&arnumber=7803944 |
引用统计 |
被引频次[WOS]:1
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成果类型 | 会议论文 |
条目标识符 | http://sustech.caswiz.com/handle/2SGJ60CL/24948 |
专题 | 工学院_电子与电气工程系 |
作者单位 | 1.Southern Univ Sci & Technol, Dept Elect & Elect Engn, Shenzhen, Peoples R China 2.Nankai Univ, Coll Elect Informat & Opt Engn, Tianjin, Peoples R China |
第一作者单位 | 电子与电气工程系 |
通讯作者单位 | 电子与电气工程系 |
第一作者的第一单位 | 电子与电气工程系 |
推荐引用方式 GB/T 7714 |
Wang, Lidan,Zhan, Chenahang,Li, Guofeng. An Ultra-Low Power and Offset-Insensitive CMOS Subthreshold Voltage Reference[C]. 345 E 47TH ST, NEW YORK, NY 10017 USA:IEEE,2016:243-246.
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条目包含的文件 | 条目无相关文件。 |
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