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题名

An Ultra-Low Power and Offset-Insensitive CMOS Subthreshold Voltage Reference

作者
通讯作者Wang, Lidan
DOI
发表日期
2016
ISBN
978-1-5090-1571-9
会议录名称
页码
243-246
会议日期
25-28 Oct. 2016
会议地点
Jeju, Korea, Republic of
出版地
345 E 47TH ST, NEW YORK, NY 10017 USA
出版者
摘要
An ultra-low power and offset-insensitive CMOS voltage reference circuit is presented. Due to the novel structure of employing subthreshold MOS transistors, the proposed circuit can suppress the DC offset effects of the internal amplifier. Design considerations in optimizing the power and area consumptions, and improving the power supply ripple rejection (PSRR) are presented. The voltage reference is implemented in a 0.18-mu m CMOS process. Simulation results show that the reference can run with 0.8 V supply voltage, while the power consumption is only 62nW, and the PSRR of better than -43 dB over the full frequency range is achieved.
关键词
学校署名
第一 ; 通讯
语种
英语
相关链接[来源记录]
收录类别
资助项目
SZSTI[JCYJ20160429191518358]
WOS研究方向
Engineering
WOS类目
Engineering, Electrical & Electronic
WOS记录号
WOS:000392651200064
EI入藏号
20170603321770
EI主题词
CMOS integrated circuits ; Voltage measurement
EI分类号
Semiconductor Devices and Integrated Circuits:714.2 ; Electric Variables Measurements:942.2
来源库
Web of Science
全文链接https://ieeexplore.ieee.org/stamp/stamp.jsp?tp=&arnumber=7803944
引用统计
被引频次[WOS]:1
成果类型会议论文
条目标识符http://sustech.caswiz.com/handle/2SGJ60CL/24948
专题工学院_电子与电气工程系
作者单位
1.Southern Univ Sci & Technol, Dept Elect & Elect Engn, Shenzhen, Peoples R China
2.Nankai Univ, Coll Elect Informat & Opt Engn, Tianjin, Peoples R China
第一作者单位电子与电气工程系
通讯作者单位电子与电气工程系
第一作者的第一单位电子与电气工程系
推荐引用方式
GB/T 7714
Wang, Lidan,Zhan, Chenahang,Li, Guofeng. An Ultra-Low Power and Offset-Insensitive CMOS Subthreshold Voltage Reference[C]. 345 E 47TH ST, NEW YORK, NY 10017 USA:IEEE,2016:243-246.
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