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题名

Effect of Electron Collecting Metal Oxide Layer in Normal and Inverted Structure Polymer Solar Cells

作者
通讯作者Ng, A.
DOI
发表日期
2013
ISSN
0094-243X
会议录名称
卷号
1566
页码
177-+
会议地点
Zurich, Switzerland
出版地
2 HUNTINGTON QUADRANGLE, STE 1NO1, MELVILLE, NY 11747-4501 USA
出版者
摘要
We performed a systematic study of the effect of electron collecting metal oxide layer on the performance of P3HT: PCBM solar cells. Zinc oxide (ZnO) or titanium dioxide (TiO2) buffer layers were prepared by either e-beam evaporation or solution processing method. We also compared the photovoltaic performance of inserting the buffer layer between indium tin oxide (ITO) and the polymer layer for the inverted structure (ITO/ ZnO or TiO2/ P3HT: PCBM/ V2O5/ Au) as well as inserting the buffers layers between the polymer and the aluminum electrode for the conventional structure (ITO/ V2O5/ P3HT: PCBM/ ZnO or TiO2/ Al). The results are shown in detail.
关键词
学校署名
其他
语种
英语
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收录类别
WOS研究方向
Engineering ; Physics
WOS类目
Engineering, Electrical & Electronic ; Physics, Applied
WOS记录号
WOS:000331793000088
EI入藏号
20143718157286
EI主题词
Aluminum compounds ; Buffer layers ; Gold compounds ; Heterojunctions ; II-VI semiconductors ; Metals ; Polymer solar cells ; Polymers ; Tin oxides ; Titanium dioxide ; Vanadium pentoxide ; Wide band gap semiconductors ; Zinc oxide
EI分类号
Semiconductor Devices and Integrated Circuits:714.2 ; Inorganic Compounds:804.2 ; Polymeric Materials:815.1 ; Crystalline Solids:933.1
来源库
Web of Science
引用统计
被引频次[WOS]:0
成果类型会议论文
条目标识符http://sustech.caswiz.com/handle/2SGJ60CL/25037
专题理学院_物理系
作者单位
1.Univ Hong Kong, Dept Phys, Pokfulam Rd, Hong Kong, Hong Kong, Peoples R China
2.South Univ Sci & Technol, Nanostruct Inst Energy & Environm Res, Div Phys Sci, Shenzhen, Peoples R China
3.Univ Hong Kong, Dept Chem, Hong Kong, Hong Kong, Peoples R China
推荐引用方式
GB/T 7714
Ng, A.,Liu, X.,Sun, Y. C.,et al. Effect of Electron Collecting Metal Oxide Layer in Normal and Inverted Structure Polymer Solar Cells[C]. 2 HUNTINGTON QUADRANGLE, STE 1NO1, MELVILLE, NY 11747-4501 USA:AMER INST PHYSICS,2013:177-+.
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