南方科技大学知识苑(SUSTech KC): A Self-Rectifying and Forming-Free HfOx based-High Performance Unipolar RRAM

题名	A Self-Rectifying and Forming-Free HfOx based-High Performance Unipolar RRAM
作者	Yu, H. Y.1 ; Tran, X. A.2
通讯作者	Yu, H. Y.
发表日期	2012
会议录名称	2012 IEEE 11TH INTERNATIONAL CONFERENCE ON SOLID-STATE AND INTEGRATED CIRCUIT TECHNOLOGY (ICSICT-2012)
页码	216-219
出版地	345 E 47TH ST, NEW YORK, NY 10017 USA
出版者	IEEE
摘要	We report a forming-free and self-rectifying unipolar HfOx based RRAM with high performance Highlight of the demonstrated RRAM include 1) Fab-available materials and CMOS process, 2) excellent self-rectifying behavior in LRS (>10(3) @ 1 V), 3) forming-free unipolar resistive switching, 4) wide read-out margin for high density cross-point memory devices.
学校署名	第一 ; 通讯
语种	英语
相关链接	[来源记录]
收录类别	CPCI-S
WOS研究方向	Engineering ; Physics
WOS类目	Engineering, Electrical & Electronic ; Physics, Applied
WOS记录号	WOS:000319824700057
来源库	Web of Science
引用统计	被引频次[WOS]：0
成果类型	会议论文
条目标识符	http://sustech.caswiz.com/handle/2SGJ60CL/25056
专题	南方科技大学工学院_深港微电子学院
作者单位	1.South Univ Sci & Technol China, Shenzhen 518055, Peoples R China 2.Nanyang Technol Univ, Sch EEE, Singapore 639798, Singapore
第一作者单位	南方科技大学
通讯作者单位	南方科技大学
第一作者的第一单位	南方科技大学
推荐引用方式 GB/T 7714	Yu, H. Y.,Tran, X. A.. A Self-Rectifying and Forming-Free HfOx based-High Performance Unipolar RRAM[C]. 345 E 47TH ST, NEW YORK, NY 10017 USA:IEEE,2012:216-219.