| 题名 | A Miniature GaN Chip for Surface Roughness Measurement |
| 作者 | |
| 通讯作者 | Li, Kwai Hei |
| 发表日期 | 2021-10
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| DOI | |
| 发表期刊 | |
| ISSN | 1557-9646
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| 卷号 | 68期号:10页码:4977-4981 |
| 关键词 | |
| 相关链接 | [IEEE记录] |
| 收录类别 | |
| 学校署名 | 第一
; 通讯
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| WOS记录号 | WOS:000697824500030
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| EI入藏号 | 20213510842469
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| EI主题词 | Gallium nitride
; III-V semiconductors
; Light sources
; Roughness measurement
; Sapphire
; WSI circuits
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| EI分类号 | Gems:482.2.1
; Semiconductor Devices and Integrated Circuits:714.2
; Physical Properties of Gases, Liquids and Solids:931.2
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| ESI学科分类 | ENGINEERING
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| 来源库 | IEEE
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| 全文链接 | https://ieeexplore.ieee.org/stamp/stamp.jsp?tp=&arnumber=9521571 |
| 引用统计 |
被引频次[WOS]：3
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| 成果类型 | 期刊论文 |
| 条目标识符 | http://sustech.caswiz.com/handle/2SGJ60CL/253367 |
| 专题 | 工学院_深港微电子学院 |
| 作者单位 | 1.Southern Univ Sci & Technol, Sch Microelect, Shenzhen 518055, Peoples R China 2.Southern Univ Sci & Technol, Engn Res Ctr Integrated Circuits Next Generat Com, Minist Educ, Shenzhen 518055, Peoples R China 3.Southern Univ Sci & Technol, Engn Res Ctr Dimens Integrat Guangdong Prov 3, Shenzhen 518055, Peoples R China 4.Jiangsu Xinguanglian Semicond Co Ltd, Wuxi 214000, Jiangsu, Peoples R China |
| 第一作者单位 | 深港微电子学院 |
| 通讯作者单位 | 深港微电子学院; 南方科技大学 |
| 第一作者的第一单位 | 深港微电子学院 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 |
Yin, Jiahao,An, Xiaoshuai,Chen, Liang,et al. A Miniature GaN Chip for Surface Roughness Measurement[J]. IEEE Transactions on Electron Devices,2021,68(10):4977-4981.
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| APA |
Yin, Jiahao.,An, Xiaoshuai.,Chen, Liang.,Wang, Qing.,Yu, Hongyu.,...&Li, Kwai Hei.(2021).A Miniature GaN Chip for Surface Roughness Measurement.IEEE Transactions on Electron Devices,68(10),4977-4981.
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| MLA |
Yin, Jiahao,et al."A Miniature GaN Chip for Surface Roughness Measurement".IEEE Transactions on Electron Devices 68.10(2021):4977-4981.
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| 条目包含的文件 | 条目无相关文件。 | |||||
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