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题名

Effects of cetyltrimethylammonium bromide (CTAB) on electroplating twin-structured copper interconnects

作者
DOI
发表日期
2021-09-14
ISBN
978-1-6654-1392-3
会议录名称
页码
1-6
会议日期
14-17 Sept. 2021
会议地点
Xiamen, China
摘要
Twin-structured copper possesses great potential in advanced interconnect electroplating because of high performance and high reliability. Whereas, the issue of surface nonuniformity restricts its practices in integrated circuits and demands a prompt solution. A novel additive strategy based on coexisting cetyltrimethylammonium bromide (CTAB) and gelatin is proposed and effects of CTAB to bath electrochemistry and material properties are investigated. With an optimum concentration of CTAB, the electroplating formular enables improved surface leveling and filling height coplanarity for twin-structured copper filling in 15/15m line/space redistribution layer (RDL) patterns.
关键词
学校署名
其他
语种
英语
相关链接[Scopus记录]
收录类别
EI入藏号
20214511119712
EI主题词
Copper ; Integrated circuit interconnects
EI分类号
Electroplating:539.3.1 ; Copper:544.1 ; Semiconductor Devices and Integrated Circuits:714.2
Scopus记录号
2-s2.0-85118458838
来源库
Scopus
全文链接https://ieeexplore.ieee.org/stamp/stamp.jsp?tp=&arnumber=9567924
引用统计
被引频次[WOS]:1
成果类型会议论文
条目标识符http://sustech.caswiz.com/handle/2SGJ60CL/255444
专题工学院
作者单位
1.Shenzhen Institute of Advanced Electronic Materials,Shenzhen Institute of Advanced Technology,Chinese Academy of Sciences (CAS),Shenzhen,518055,China
2.College of Engineering,Southern University of Science and Technology,Shenzhen,518055,China
第一作者单位工学院
推荐引用方式
GB/T 7714
Dong,Yi,Li,Zhe,Gao,Li Ying,et al. Effects of cetyltrimethylammonium bromide (CTAB) on electroplating twin-structured copper interconnects[C],2021:1-6.
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