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题名

功率电子封装关键材料和结构设计的研究进展

作者
发表日期
2021
DOI
发表期刊
ISSN
1681-1070
卷号21期号:10页码:101-110
摘要
传统功率电子封装主要以钎料连接和引线键合等二维平面封装技术为主,无法满足第三代半导体器件在高频、高压、高温下的可靠应用需求.为了解决这一问题,二维平面封装逐渐向三维集成封装发展.对功率电子封装技术中的关键材料和结构设计的研究进展进行了总结和展望.连接材料从锡基钎料逐渐发展为金基钎料、瞬态液相连接材料、烧结银等高导热、耐高温材料,连接技术从引线键合逐渐发展为双面冷却、器件集成和垂直叠层互连等.通过去除引线提高开关性能,集成多种芯片和器件提高功率密度,双面冷却提高散热效率.三维集成封装具有巨大的市场潜力,将成为未来的主要发展趋势之一.
关键词
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语种
中文
学校署名
其他
资助项目
深圳科创委项目(JCYJ20180508161601937)
来源库
WanFang
万方记录号
perioarticaldzfz202110010
引用统计
被引频次[WOS]:0
成果类型期刊论文
条目标识符http://sustech.caswiz.com/handle/2SGJ60CL/256228
专题工学院_深港微电子学院
作者单位
1.南开大学电子信息与光学工程学院,天津300350
2.中科芯集成电路有限公司,江苏无锡214072
3.南方科技大学深港微电子学院,深圳518055
4.中科芯集成电路有限公司
推荐引用方式
GB/T 7714
王美玉,胡伟波,孙晓冬,等. 功率电子封装关键材料和结构设计的研究进展[J]. 电子与封装,2021,21(10):101-110.
APA
王美玉,胡伟波,孙晓冬,汪青,&于洪宇.(2021).功率电子封装关键材料和结构设计的研究进展.电子与封装,21(10),101-110.
MLA
王美玉,et al."功率电子封装关键材料和结构设计的研究进展".电子与封装 21.10(2021):101-110.
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