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题名

Investigation of high performance and fine-pitch GaN-based Micro-LEDs

作者
通讯作者Liu,Zhaojun
发表日期
2021-12-09
ISSN
1883-2490
会议录名称
卷号
27
页码
773-775
摘要
Micro-LEDs have become the focus of display research due to their outstanding characteristics in brightness, lifetime, resolution, and efficiency. The research of small size and fine-pitch Micro-LED has attracted full attention. In this paper, we review the progress of GaN-based Micro-LEDs with small size and fine pitch. Besides, high performance Micro-LED arrays, which have 6um*6.5um pixel size and 9.5um*9.5um pixel size will also be reported. This research is an essential breakthrough for fine-pitch GaN-based LEDs.
关键词
学校署名
第一 ; 通讯
语种
英语
相关链接[Scopus记录]
收录类别
EI入藏号
20214811244107
EI主题词
Gallium nitride ; III-V semiconductors ; Pixels
EI分类号
Semiconducting Materials:712.1 ; Semiconductor Devices and Integrated Circuits:714.2
Scopus记录号
2-s2.0-85119973348
来源库
Scopus
成果类型会议论文
条目标识符http://sustech.caswiz.com/handle/2SGJ60CL/258130
专题工学院_电子与电气工程系
作者单位
Center of Micro-LED Research,Department of Electrical and Electronic Engineering,Southern University of Science and Technology,Shenzhen,518055,China
第一作者单位电子与电气工程系
通讯作者单位电子与电气工程系
第一作者的第一单位电子与电气工程系
推荐引用方式
GB/T 7714
Zhanghu,Mengyuan,Huang,Wenjun,Wu,Guocai,et al. Investigation of high performance and fine-pitch GaN-based Micro-LEDs[C],2021:773-775.
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