| 题名 | A 0.9-V 33.7-ppm/°C 85-nW Sub-Bandgap Voltage Reference Consisting of Subthreshold MOSFETs and Single BJT |
| 作者 | |
| 通讯作者 | Zhan, Chenchang |
| 发表日期 | 2018-10
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| DOI | |
| 发表期刊 | |
| ISSN | 1557-9999
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| 卷号 | 26期号:10页码:2190-2194 |
| 关键词 | |
| 相关链接 | [IEEE记录] |
| 收录类别 | |
| 学校署名 | 第一
; 通讯
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| EI入藏号 | 20182305289164
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| EI主题词 | Voltage measurement
; CMOS integrated circuits
; Energy gap
; Electric power utilization
; Bipolar transistors
; MOSFET devices
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| EI分类号 | Thermodynamics:641.1
; Electric Power Systems:706.1
; Semiconductor Devices and Integrated Circuits:714.2
; Electric Variables Measurements:942.2
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| ESI学科分类 | ENGINEERING
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| 来源库 | IEEE
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| 全文链接 | https://ieeexplore.ieee.org/stamp/stamp.jsp?tp=&arnumber=8370242 |
| 引用统计 |
被引频次[WOS]：29
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| 成果类型 | 期刊论文 |
| 条目标识符 | http://sustech.caswiz.com/handle/2SGJ60CL/27173 |
| 专题 | 工学院_电子与电气工程系 |
| 作者单位 | 1.Southern Univ Sci & Technol, Dept Elect & Elect Engn, Shenzhen 518055, Peoples R China 2.Nankai Univ, Coll Elect Informat & Opt Engn, Tianjin 300071, Peoples R China |
| 第一作者单位 | 电子与电气工程系 |
| 通讯作者单位 | 电子与电气工程系 |
| 第一作者的第一单位 | 电子与电气工程系 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 |
Wang, Lidan,Zhan, Chenchang,Tang, Junyao,et al. A 0.9-V 33.7-ppm/°C 85-nW Sub-Bandgap Voltage Reference Consisting of Subthreshold MOSFETs and Single BJT[J]. IEEE Transactions on Very Large Scale Integration (VLSI) Systems,2018,26(10):2190-2194.
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| APA |
Wang, Lidan,Zhan, Chenchang,Tang, Junyao,Liu, Yang,&Li, Guofeng.(2018).A 0.9-V 33.7-ppm/°C 85-nW Sub-Bandgap Voltage Reference Consisting of Subthreshold MOSFETs and Single BJT.IEEE Transactions on Very Large Scale Integration (VLSI) Systems,26(10),2190-2194.
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| MLA |
Wang, Lidan,et al."A 0.9-V 33.7-ppm/°C 85-nW Sub-Bandgap Voltage Reference Consisting of Subthreshold MOSFETs and Single BJT".IEEE Transactions on Very Large Scale Integration (VLSI) Systems 26.10(2018):2190-2194.
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| 条目包含的文件 | ||||||
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