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题名

First-principles study of the atomic and electronic properties of (100) stacking faults in BaSnO3 crystal

作者
通讯作者Guo, Yao
发表日期
2018-02-16
DOI
发表期刊
ISSN
0009-2614
EISSN
1873-4448
卷号694页码:65-69
摘要
We investigated the atomic and electronic properties of (100) stacking fault (SF) in undoped and La-doped BaSnO3 by first-principles calculations. It was found that 1/2[111] (100) SF is energetically favorable when Ba atoms occupy the interface while 1/2 (100) [101] SF becomes the most stable when the SF interface is occupied by Sn atoms. SF influences the distribution of La dopant and the electric properties of the system. In the presence of SF, electronic states near the Fermi level decrease and the bandgap expands by about 0.6 eV. Our results suggest that SF is one of the possible origins for the performance degradation. (C) 2018 Elsevier B.V. All rights reserved.
关键词
相关链接[来源记录]
收录类别
SCI ; EI
语种
英语
学校署名
其他
资助项目
National Natural Science Foundation of China[21302003]
WOS研究方向
Chemistry ; Physics
WOS类目
Chemistry, Physical ; Physics, Atomic, Molecular & Chemical
WOS记录号
WOS:000424632900012
出版者
EI入藏号
20180604777118
EI主题词
Atoms ; Calculations ; Doping (additives) ; Electronic properties
EI分类号
Mathematics:921 ; Atomic and Molecular Physics:931.3 ; Crystal Lattice:933.1.1
ESI学科分类
CHEMISTRY
来源库
Web of Science
引用统计
被引频次[WOS]:1
成果类型期刊论文
条目标识符http://sustech.caswiz.com/handle/2SGJ60CL/28027
专题理学院_物理系
作者单位
1.Anyang Inst Technol, Dept Chem & Environm Engn, Anyang 455000, Peoples R China
2.Wuhan Univ, Sch Phys & Technol, Wuhan 430072, Hubei, Peoples R China
3.South Univ Sci & Technol China, Dept Phys, Shenzhen 518055, Peoples R China
4.Chinese Acad Sci, Inst Met Res, Shenyang Natl Lab Mat Sci, Shenyang 110016, Liaoning, Peoples R China
第一作者单位物理系
推荐引用方式
GB/T 7714
Xue, Yuanbin,Wang, Wenyuan,Guo, Yao. First-principles study of the atomic and electronic properties of (100) stacking faults in BaSnO3 crystal[J]. CHEMICAL PHYSICS LETTERS,2018,694:65-69.
APA
Xue, Yuanbin,Wang, Wenyuan,&Guo, Yao.(2018).First-principles study of the atomic and electronic properties of (100) stacking faults in BaSnO3 crystal.CHEMICAL PHYSICS LETTERS,694,65-69.
MLA
Xue, Yuanbin,et al."First-principles study of the atomic and electronic properties of (100) stacking faults in BaSnO3 crystal".CHEMICAL PHYSICS LETTERS 694(2018):65-69.
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