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题名

通过CVD方法经由PTAS催化生长的单层MoS2薄膜

作者
发表日期
2017
会议名称
第九届深港澳台博士生南山学术论坛
页码
10-10
会议日期
2017
会议地点
深圳
会议录编者/会议主办者
清华大学深圳研究生院
摘要
  通过CVD 方法生长单层MoS2 薄膜,催化剂PTAS 发挥了非常重要的作用.在本文中,在SiO2/Si衬底上合成了大面积单层三角形MoS2 薄膜,单层三角形薄膜的尺寸约在30 μm 左右.通过一系列手段表征了单层MoS2 薄膜的性质,表明生成的单层三角形MoS2 薄膜均匀连续,两个拉曼特征峰的差值为20 cm-1,光致发光强度很强,薄膜厚度在0.7 nm,说明该三角形薄膜为单层,所有的表征结果均证实了用该方法生长的单层MoS2 薄膜的质量很好.通过PTAS 的催化作用,MoS2 更容易横向生长成单层三角形薄膜,而不是纵向生长成厚膜或颗粒状.这是由于PTAS 促进了MoS2 成核点的形成,并引起了MoS2 薄膜在衬底上的横向生长.
关键词
学校署名
其他
语种
中文
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来源库
WanFang
万方记录号
confartical10333830
成果类型会议论文
条目标识符http://sustech.caswiz.com/handle/2SGJ60CL/334061
专题南方科技大学
作者单位
1.澳门大学,澳门1 9990781;南方科技大学,深圳2 5180552
2.澳门大学,澳门1 9990781
3.南方科技大学,深圳2 5180552
推荐引用方式
GB/T 7714
李鸿,汤子康,张新海. 通过CVD方法经由PTAS催化生长的单层MoS2薄膜[C]//清华大学深圳研究生院,2017:10-10.
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