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题名

3C-SiC微观去除行为及磨粒磨损机制分子动力学仿真研究

作者
发表日期
2017
会议名称
第十九届中国磨粒技术学术会议
页码
185-186
会议日期
2017
会议地点
哈尔滨
会议录编者/会议主办者
中国机械工程学会
摘要
SiC作为第三代半导体材料越来越受到关注,该材料加工去除机理及加工工艺吸引了大量学者研究.SiC单晶材料去除机理尤其是无表面裂纹的塑性去除机理仍然是研究的热点.目前关于3C-SiC的MD纳米切削仿真分析主要集中在材料原子尺度下的塑性变形机理及力学特性.
关键词
学校署名
其他
语种
中文
相关链接[万方记录]
来源库
WanFang
万方记录号
confartical10250703
成果类型会议论文
条目标识符http://sustech.caswiz.com/handle/2SGJ60CL/334064
专题工学院_机械与能源工程系
作者单位
1.南方科技大学机械与能源工程系 深圳518000
2.哈尔滨工业大学机电工程学院 哈尔滨150001
3.哈尔滨工业大学
推荐引用方式
GB/T 7714
孟彬彬,徐少林,张飞虎. 3C-SiC微观去除行为及磨粒磨损机制分子动力学仿真研究[C]//中国机械工程学会,2017:185-186.
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