| 题名 | 多层二硫化钼材料中能谷自由度以及谷间散射机理的研究 |
| 作者 | |
| 发表日期 | 2017
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| 会议名称 | 第二十一届全国半导体物理学术会议
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| 页码 | 67-67
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| 会议日期 | 2017
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| 会议地点 | 南京
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| 会议录编者/会议主办者 | 中国物理学会%中科院%南京大学
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| 关键词 | |
| 学校署名 | 其他
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| 语种 | 中文
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| 相关链接 | [万方记录] |
| 来源库 | WanFang
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| 万方记录号 | confartical10358293
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| 成果类型 | 会议论文 |
| 条目标识符 | http://sustech.caswiz.com/handle/2SGJ60CL/334073 |
| 专题 | 理学院_物理系 |
| 作者单位 | 南方科技大学物理系,广东深圳,518055 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 |
戴俊峰. 多层二硫化钼材料中能谷自由度以及谷间散射机理的研究[C]//中国物理学会%中科院%南京大学,2017:67-67.
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