南方科技大学知识苑(SUSTech KC): 一种纳米压印光刻胶及其制备方法

题名	一种纳米压印光刻胶及其制备方法
发明人	万春旭; 张至; 程鑫; 孙大陟
第一发明人	万春旭
申请人	南方科技大学
第一申请人	南方科技大学
第一申请人地址	518000 广东省深圳市南山区西丽学苑大道1088号
当前申请人	南方科技大学
当前申请人地址	518000 广东省深圳市南山区西丽学苑大道1088号 (广东,深圳,南山区)
当前第一申请人	南方科技大学
当前第一申请人地址	518000 广东省深圳市南山区西丽学苑大道1088号 (广东,深圳,南山区)
申请号	CN201510930089.6
申请日期	2015-12-15
公开(公告)号	CN105353587B
公开日期	2019-12-20
授权日期	2019-12-20
专利状态	授权
法律状态日期	2019-12-20
专利类型	授权发明
学校署名	第一
摘要	本发明涉及一种纳米压印光刻胶及其制备方法；其中，纳米压印光刻胶含有如下重量百分比的组分：有机小分子溶剂65～97％，树脂1～30％，氟化石墨及其衍生物0.01～5％，表面活性剂0.01～5％和添加剂0～1％。本发明所述的纳米压印光刻胶中添加了氟化石墨及其衍生物，因氟化石墨及其衍生物具有低表面能，从而解决了传统高表面能光刻胶与模板之间粘结力过大而导致的脱模中发生的图形缺陷，模板损坏等问题。
其他摘要	A nanoimprinted photoresist and preparation method therefor. The nanoimprinted photoresist comprises the following components in percentage by weight: 65-97% of an organic small-molecular solvent, 1-30% of resin, 0.01-5% of graphite fluoride and a derivative thereof, 0.01-5% of a surfactant, and 0-1% of an additive. Graphite fluoride and a derivative thereof are added to the nanoimprinted photoresist, and because graphite fluoride and the derivative thereof have low surface energy, the problems such as pattern defects and mold damage during demolding caused by an excessive adhesive force between a traditional photoresist having high surface energy and the mold are resolved.
CPC分类号	G03F7/0002 ; G03F7/004 ; G03F7/0048 ; G03F7/00
IPC 分类号	G03F7/00 ; G03F7/004
INPADOC 法律状态	（+PATENT GRANT）[2019-12-20][CN]
INPADOC 同族专利数量	2
扩展同族专利数量	2
专利代理人	巩克栋 ; 侯潇潇
代理机构	北京品源专利代理有限公司
相关链接	[来源记录]
来源库	PatSnap
成果类型	专利
条目标识符	http://sustech.caswiz.com/handle/2SGJ60CL/336561
专题	工学院_电子与电气工程系工学院_材料科学与工程系
推荐引用方式 GB/T 7714	万春旭,张至,程鑫,等. 一种纳米压印光刻胶及其制备方法[P]. 2019-12-20.