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题名

多超导量子比特中任意两个比特耦合的方法及其系统

发明人
第一发明人
俞大鹏
申请人
南方科技大学
第一申请人
南方科技大学
第一申请人地址
518055 广东省深圳市南山区西丽镇学苑大道1088号南方科技大学
当前申请人
南方科技大学 ; 复旦大学
当前申请人地址
518055 广东省深圳市南山区西丽镇学苑大道1088号南方科技大学 (广东,深圳,南山区)
当前第一申请人
南方科技大学
当前第一申请人地址
518055 广东省深圳市南山区西丽镇学苑大道1088号南方科技大学 (广东,深圳,南山区)
申请号
CN201810380235.6
申请日期
2018-04-25
公开(公告)号
CN109583592B
公开日期
2020-04-17
授权日期
2020-04-17
专利状态
授权
法律状态日期
2020-04-17
专利类型
授权发明
学校署名
第一
摘要
本申请涉及一种多超导量子比特中任意两个比特耦合的方法及其系统。应用于具有多超导量子比特阵列以及能够实现自旋波的磁性薄膜材料的场合下,包括:将磁性薄膜材料设置于多超导量子比特阵列下方;通过磁性薄膜材料中磁畴磁化方向的组合,以形成多个供自旋波通过的通道;多超导量子比特阵列中的量子比特对应设置于自旋波通过的通道上方,以实现单个量子比特与自旋波的耦合;自旋波通道上设有至少两个量子比特,通过单个量子比特与自旋波之间的耦合以实现两个量子比特之间的耦合。上述方法利用磁性薄膜材料层来传递超导量子比特层的量子比特的状态变化,同时利用自旋波的软连接,以实现任意两个超导量子比特的耦合。
其他摘要
本申请涉及一种多超导量子比特中任意两个比特耦合的方法及其系统。应用于具有多超导量子比特阵列以及能够实现自旋波的磁性薄膜材料的场合下,包括:将磁性薄膜材料设置于多超导量子比特阵列下方;通过磁性薄膜材料中磁畴磁化方向的组合,以形成多个供自旋波通过的通道;多超导量子比特阵列中的量子比特对应设置于自旋波通过的通道上方,以实现单个量子比特与自旋波的耦合;自旋波通道上设有至少两个量子比特,通过单个量子比特与自旋波之间的耦合以实现两个量子比特之间的耦合。上述方法利用磁性薄膜材料层来传递超导量子比特层的量子比特的状态变化,同时利用自旋波的软连接,以实现任意两个超导量子比特的耦合。
CPC分类号
G06N10/00 ; B82Y10/00 ; B82Y25/00 ; H01L43/00 ; H01L27/18
IPC 分类号
G06N10/00
INPADOC 法律状态
(+PATENT GRANT)[2020-04-17][CN]
INPADOC 同族专利数量
5
扩展同族专利数量
5
专利代理人
潘霞
代理机构
广州华进联合专利商标代理有限公司
相关链接[来源记录]
来源库
PatSnap
成果类型专利
条目标识符http://sustech.caswiz.com/handle/2SGJ60CL/337064
专题理学院_物理系
量子科学与工程研究院
推荐引用方式
GB/T 7714
俞大鹏,吴健生,肖江,等. 多超导量子比特中任意两个比特耦合的方法及其系统[P]. 2020-04-17.
条目包含的文件
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