| 题名 | 一种磁随机存储器及其写入方法、读取方法和制备方法 |
| 发明人 | |
| 第一发明人 | 徐泽东
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| 申请人 | 南方科技大学
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| 第一申请人 | 南方科技大学
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| 第一申请人地址 | 518000 广东省深圳市南山区西丽学苑大道1088号
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| 当前申请人 | 南方科技大学
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| 当前申请人地址 | 518000 广东省深圳市南山区西丽学苑大道1088号 (广东,深圳,南山区)
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| 当前第一申请人 | 南方科技大学
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| 当前第一申请人地址 | 518000 广东省深圳市南山区西丽学苑大道1088号 (广东,深圳,南山区)
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| 申请号 | CN201711147716.4
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| 申请日期 | 2017-11-17
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| 公开(公告)号 | CN107946454B
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| 公开日期 | 2020-09-18
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| 授权日期 | 2020-09-18
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| 专利状态 | 授权
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| 法律状态日期 | 2020-09-18
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| 专利类型 | 授权发明
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| 学校署名 | 第一
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| 摘要 | 本发明公开了一种磁随机存储器及其写入方法、读取方法和制备方法，该磁随机存储器包括依次堆叠设置的衬底层、铁电层、复合反铁磁结构、第一隔离层和第一铁磁层，复合反铁磁结构为磁随机存储器的自由层，第一铁磁层为磁随机存储器的固定层；铁电层在外加电压作用下发生极化或晶格形变，用于改变复合反铁磁结构的耦合状态；第一铁磁层具备恒定的第一磁矩方向；第一隔离层用于控制第一磁矩方向不受复合反铁磁结构耦合状态的影响。此磁随机存储器，利用电场作用下复合反铁磁结构铁磁耦合和反铁磁耦合的相互转变，实现MRAM的写入，解决了用导线的感应磁场或极化电流实现MRAM写入时，线宽较宽导致的MRAM尺寸较大，MRAM存储密度较低的问题，实现高密度存储。 |
| 其他摘要 | The invention discloses a magnetic random access memory (MRAM) and a writing method, a reading method and a preparation method thereof. The magnetic RAM includes a substrate layer, a ferroelectric layer, a composite anti-ferromagnetic structure, a first isolation layer and a first ferromagnetic layer that are successively stacked. The composite anti-ferromagnetic structure is the free layer of theMRAM. The first ferromagnetic layer is the fixed layer of the MRAM. The ferroelectric layer is subjected to polarization or lattice distortion under the effect of applied voltage in order to change the coupling state of the composite anti-ferromagnetic structure. The first ferromagnetic layer has a constant first magnetic moment direction. The first isolation layer is configured to control the first magnetic moment direction not to be affected by the coupling state of the composite anti-ferromagnetic structure. The MRAM achieves writing by using the transformation of ferromagnetic coupling and anti-ferromagnetic coupling of the composite anti-ferromagnetic structure under the effect of an electric field, and solves a problem that the MRAM has a large size and a low storage density becauseof a large line width during the writing achieved by the induction magnetic field or polarization current of a wire. |
| CPC分类号 | G11C11/161
; H01L43/08
; H01L43/12
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| IPC 分类号 | H01L43/08
; H01L43/12
; G11C11/16
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| INPADOC 法律状态 | （+PATENT GRANT）[2020-09-18][CN]
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| INPADOC 同族专利数量 | 1
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| 扩展同族专利数量 | 1
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| 专利代理人 | 潘登
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| 代理机构 | 北京品源专利代理有限公司
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| 相关链接 | [来源记录] |
| 来源库 | PatSnap
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| 成果类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://sustech.caswiz.com/handle/2SGJ60CL/337547 |
| 专题 | 理学院_物理系 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 |
徐泽东,陈朗. 一种磁随机存储器及其写入方法、读取方法和制备方法[P]. 2020-09-18.
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| 条目包含的文件 | 条目无相关文件。 | |||||
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