| 题名 | 一种K空穴掺杂的多晶SnSe及其制备方法 |
| 发明人 | |
| 第一发明人 | 何佳清
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| 申请人 | 南方科技大学
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| 第一申请人 | 南方科技大学
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| 第一申请人地址 | 518000 广东省深圳市南山区西丽学苑大道1088号南方科技大学第二科421
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| 当前申请人 | 深圳热电新能源科技有限公司
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| 当前申请人地址 | 518000 广东省深圳市龙岗区吉华街道甘李工业园甘李六路12号中海信创新产业城13栋C501-510 (广东,深圳,龙岗区)
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| 当前第一申请人 | 深圳热电新能源科技有限公司
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| 当前第一申请人地址 | 518000 广东省深圳市龙岗区吉华街道甘李工业园甘李六路12号中海信创新产业城13栋C501-510 (广东,深圳,龙岗区)
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| 申请号 | CN201610317305.4
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| 申请日期 | 2016-05-13
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| 公开(公告)号 | CN105977372B
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| 公开日期 | 2018-12-04
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| 授权日期 | 2018-12-04
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| 专利状态 | 授权
; 权利转移
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| 法律状态日期 | 2018-12-04
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| 专利类型 | 授权发明
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| 学校署名 | 第一
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| 摘要 | 本发明涉及一种K空穴掺杂的多晶SnSe及其制备方法，属于能源材料技术领域。本发明的方法通过以高纯的Sn、K和Sn单质为原料，将原料通过改进的机械合金化方法制备成化合物粉体，然后通过放电等离子烧结的方法，并调节机械合金化方法以及放电等离子烧结的工艺参数，实现了钾元素的有效掺杂，制备得到K空穴掺杂的多晶SnSe，其中，Sn、K和Se的原子比为Sn:K:Se＝1‑x:x:1，0＜x≤0.1，其具有低的热导率、高的载流子浓度、高的功率因子和ZT值，热导率在773K可低至0.20W/mK，最高功率因子和最高热电优值ZT分别高达350μW/mK2和1.08，优化了热电性能，而且本发明的方法具有工艺简便、成本低和实用性强等优点。 |
| 其他摘要 | The invention relates to a K hole doped polycrystalline SnSe and a preparation method therefor, and belongs to the technical field of energy materials. The method comprises the steps: firstly taking high-purity Sn, K and Sn elementary substances as raw materials, and enabling the raw materials to be prepared into compound powder through an improved mechanical alloying method; secondly employing a spark plasma sintering method, and adjusting the mechanical alloying method and the technological parameters of the spark plasma sintering, thereby achieving the effective doping of K elements, and obtaining K hole doped polycrystalline SnSe through preparation, wherein the atomic ratio of Sn: K: Se is equal to (1-x): x: 1, and x is greater than zero but not greater than 0.1. The K hole doped polycrystalline SnSe is low in heat conductivity, and is high in carrier concentration, power factor and ZT value, wherein the heat conductivity can decrease to 0.20W/mK at the temperature of 773K, and the maximum power factor and the maximum thermoelectricity optimum value ZT respectively reach 350 [mu]W/mK2 and 1.08. The method optimizes the thermoelectric performances, is simple and convenient in technology, is low in cost, and is high in practicality. |
| CPC分类号 | H01L35/16
; H01L35/34
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| IPC 分类号 | H01L35/16
; H01L35/34
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| INPADOC 法律状态 | （+PATENT GRANT）[2018-12-04][CN]
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| INPADOC 同族专利数量 | 1
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| 扩展同族专利数量 | 1
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| 专利代理人 | 巩克栋
; 侯潇潇
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| 代理机构 | 北京品源专利代理有限公司
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| 相关链接 | [来源记录] |
| 来源库 | PatSnap
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| 成果类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://sustech.caswiz.com/handle/2SGJ60CL/337551 |
| 专题 | 理学院_物理系 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 |
何佳清,陈跃星,葛振华,等. 一种K空穴掺杂的多晶SnSe及其制备方法[P]. 2018-12-04.
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| 条目包含的文件 | 条目无相关文件。 | |||||
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