| 题名 | 一种调控宽禁带半导体材料缺陷及掺杂特性的方法 |
| 发明人 | |
| 第一发明人 | 罗光富
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| 申请人 | 南方科技大学
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| 第一申请人 | 南方科技大学
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| 第一申请人地址 | 518000 广东省深圳市南山区桃源街道学苑大道1088号
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| 当前申请人 | 南方科技大学
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| 当前申请人地址 | 518000 广东省深圳市南山区桃源街道学苑大道1088号 (广东,深圳,南山区)
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| 当前第一申请人 | 南方科技大学
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| 当前第一申请人地址 | 518000 广东省深圳市南山区桃源街道学苑大道1088号 (广东,深圳,南山区)
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| 申请号 | CN202011004830.3
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| 申请日期 | 2020-09-22
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| 公开(公告)号 | CN112233973B
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| 公开日期 | 2022-03-22
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| 授权日期 | 2022-03-22
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| 专利状态 | 授权
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| 法律状态日期 | 2022-03-22
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| 专利类型 | 授权发明
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| 学校署名 | 第一
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| 摘要 | 为克服现有宽禁带半导体材料存在大量自发缺陷，难以获得本征半导体以及难以实现反型掺杂的问题，本发明公开了一种通过外加电压，可控地提高自发缺陷的形成能，同时降低反型掺杂缺陷的形成能，实现本征宽禁带半导体材料制备与反型掺杂的方法。该方法包括以下操作步骤：在生长本征宽禁带半导体材料以及反型掺杂过程中，给自发形成N型导电的宽禁带半导体材料施加正偏压，给自发形成P型导电的宽禁带半导体材料施加负偏压。本发明同时公开了上述方法在制备本征氧化锌以及P型掺杂氧化锌中的应用。 |
| 其他摘要 | 为克服现有宽禁带半导体材料存在大量自发缺陷，难以获得本征半导体以及难以实现反型掺杂的问题，本发明公开了一种通过外加电压，可控地提高自发缺陷的形成能，同时降低反型掺杂缺陷的形成能，实现本征宽禁带半导体材料制备与反型掺杂的方法。该方法包括以下操作步骤：在生长本征宽禁带半导体材料以及反型掺杂过程中，给自发形成N型导电的宽禁带半导体材料施加正偏压，给自发形成P型导电的宽禁带半导体材料施加负偏压。本发明同时公开了上述方法在制备本征氧化锌以及P型掺杂氧化锌中的应用。 |
| CPC分类号 | H01L21/2205
; H01L21/22
; H01L21/0257
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| IPC 分类号 | H01L21/22
; H01L21/02
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| INPADOC 法律状态 | （+PATENT GRANT）[2022-03-22][CN]
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| INPADOC 同族专利数量 | 2
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| 扩展同族专利数量 | 2
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| 专利代理人 | 谭果林
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| 代理机构 | 深圳众鼎专利商标代理事务所(普通合伙)
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| 相关链接 | [来源记录] |
| 来源库 | PatSnap
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| 成果类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://sustech.caswiz.com/handle/2SGJ60CL/337991 |
| 专题 | 南方科技大学 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 |
罗光富,刘凯. 一种调控宽禁带半导体材料缺陷及掺杂特性的方法[P]. 2022-03-22.
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| 条目包含的文件 | 条目无相关文件。 | |||||
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