| 题名 | 一种铁电阻变存储器及其写入方法、读取方法和制备方法 |
| 发明人 | |
| 第一发明人 | 徐泽东
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| 申请人 | 南方科技大学
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| 第一申请人 | 南方科技大学
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| 第一申请人地址 | 518000 广东省深圳市南山区西丽学苑大道1088号
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| 当前申请人 | 南方科技大学
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| 当前申请人地址 | 518000 广东省深圳市南山区西丽学苑大道1088号 (广东,深圳,南山区)
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| 当前第一申请人 | 南方科技大学
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| 当前第一申请人地址 | 518000 广东省深圳市南山区西丽学苑大道1088号 (广东,深圳,南山区)
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| 申请号 | CN201711147743.1
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| 申请日期 | 2017-11-17
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| 公开(公告)号 | CN107946461B
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| 公开日期 | 2021-10-19
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| 授权日期 | 2021-10-19
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| 专利状态 | 授权
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| 法律状态日期 | 2021-10-19
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| 专利类型 | 授权发明
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| 学校署名 | 第一
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| 摘要 | 本发明公开了一种铁电阻变存储器及其写入方法、读取方法和制备方法。该铁电阻变存储器包括依次堆叠设置的衬底层、底电极、开关层和顶电极；所述开关层包括铁电层以及与所述铁电层相邻设置的至少一层半导体层；所述铁电层在电场所用下发生极化，用于改变所述开关层的势垒。本发明通过在开关层增设至少一层半导体层且半导体层与铁电层相邻设置，相当于增加了一层可变势垒层，增大了在电场作用下开关层高低阻态的电阻比，即增大了铁电阻变存储器的存储窗口，进而实现了铁电阻变存储器的高密度存储，解决铁电阻变存储器存储窗口较小的问题。 |
| 其他摘要 | 本发明公开了一种铁电阻变存储器及其写入方法、读取方法和制备方法。该铁电阻变存储器包括依次堆叠设置的衬底层、底电极、开关层和顶电极；所述开关层包括铁电层以及与所述铁电层相邻设置的至少一层半导体层；所述铁电层在电场所用下发生极化，用于改变所述开关层的势垒。本发明通过在开关层增设至少一层半导体层且半导体层与铁电层相邻设置，相当于增加了一层可变势垒层，增大了在电场作用下开关层高低阻态的电阻比，即增大了铁电阻变存储器的存储窗口，进而实现了铁电阻变存储器的高密度存储，解决铁电阻变存储器存储窗口较小的问题。 |
| CPC分类号 | H01L45/12
; H01L45/16
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| IPC 分类号 | H01L45/00
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| INPADOC 法律状态 | （+PATENT GRANT）[2021-10-19][CN]
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| INPADOC 同族专利数量 | 1
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| 扩展同族专利数量 | 1
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| 专利代理人 | 潘登
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| 代理机构 | 北京品源专利代理有限公司
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| 相关链接 | [来源记录] |
| 来源库 | PatSnap
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| 成果类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://sustech.caswiz.com/handle/2SGJ60CL/338202 |
| 专题 | 理学院_物理系 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 |
徐泽东,陈朗. 一种铁电阻变存储器及其写入方法、读取方法和制备方法[P]. 2021-10-19.
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| 条目包含的文件 | 条目无相关文件。 | |||||
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