南方科技大学知识苑(SUSTech KC): 肖特基蓝紫光探测器及其制备方法

题名	肖特基蓝紫光探测器及其制备方法
发明人	王干; 苏荫强; 赵玉华; 张志成; 彭亮熙; 陈俊树; 梁家军
第一发明人	王干
申请人	南方科技大学
第一申请人	南方科技大学
第一申请人地址	518055 广东省深圳市南山区西丽镇学苑大道1088号南方科技大学
当前申请人	南方科技大学
当前申请人地址	518055 广东省深圳市南山区西丽镇学苑大道1088号南方科技大学 (广东,深圳,南山区)
当前第一申请人	南方科技大学
当前第一申请人地址	518055 广东省深圳市南山区西丽镇学苑大道1088号南方科技大学 (广东,深圳,南山区)
申请号	CN201710613015.9
申请日期	2017-07-25
公开(公告)号	CN107564991B
公开日期	2020-07-10
授权日期	2020-07-10
专利状态	授权
法律状态日期	2020-07-10
专利类型	授权发明
学校署名	第一
摘要	本发明涉及一种肖特基蓝紫光探测器及其制备方法。该肖特基蓝紫光探测器包括N型砷化镓单晶衬底、硒化锌单晶层和金属层，N型砷化镓单晶衬底的一侧溶入镓后形成欧姆接触层，硒化锌单晶层和金属层依次层叠在N型砷化镓单晶衬底远离欧姆接触层的一侧上。该肖特基蓝紫光探测器具有较高的量子效率较高。
其他摘要	The invention relates to a blue-violet photo-detector and a preparation method thereof. The blue-violet photo-detector comprises a N-shaped gallium arsenide monocrystalline substrate, a zinc selenidesingle crystalline layer and a metal layer. One side of the N-shaped gallium arsenide monocrystalline substrate is dissolved into gallium, forming an Ohmic contact layer. The zinc selenide single crystalline layer and the metal layer laminate on one side of the N-shaped gallium arsenide monocrystalline substrate, away from the Ohmic contact layer. The blue-violet photo-detector has quite high quantum efficiency.
CPC分类号	Y02P70/50
IPC 分类号	H01L31/108 ; H01L31/0224 ; H01L31/18
INPADOC 法律状态	（+PATENT GRANT）[2020-07-10][CN]
INPADOC 同族专利数量	1
扩展同族专利数量	1
专利代理人	潘霞
代理机构	广州华进联合专利商标代理有限公司
相关链接	[来源记录]
来源库	PatSnap
成果类型	专利
条目标识符	http://sustech.caswiz.com/handle/2SGJ60CL/338355
专题	理学院_物理系
推荐引用方式 GB/T 7714	王干,苏荫强,赵玉华,等. 肖特基蓝紫光探测器及其制备方法[P]. 2020-07-10.