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题名

二氧化钛纳米薄膜制备方法及二氧化钛纳米薄膜

发明人
第一发明人
邓辉
申请人
南方科技大学
第一申请人
南方科技大学
第一申请人地址
518055 广东省深圳市南山区西丽学苑大道1088号
当前申请人
南方科技大学
当前申请人地址
518055 广东省深圳市南山区西丽学苑大道1088号 (广东,深圳,南山区)
当前第一申请人
南方科技大学
当前第一申请人地址
518055 广东省深圳市南山区西丽学苑大道1088号 (广东,深圳,南山区)
申请号
CN201910790001.3
申请日期
2019-08-26
公开(公告)号
CN110499497B
公开日期
2021-09-21
授权日期
2021-09-21
专利状态
授权
法律状态日期
2021-09-21
专利类型
授权发明
学校署名
第一
摘要
本发明公开了一种二氧化钛纳米薄膜制备方法及二氧化钛纳米薄膜,本发明属于二氧化钛纳米薄膜加工领域。本发明的二氧化钛纳米薄膜制备方法包括如下步骤:S1、提供惰性气体;S2、对惰性气体进行耦合,同时对惰性气体点火,产生惰性气体的等离子体火炬;S3、向惰性气体的等离子体火炬的内部通入反应气体,产生含有反应气体的等离子体火炬;S4、通过含有反应气体的等离子体火炬作用样品表面。本发明的二氧化钛纳米薄膜制备方法,其制备过程简单、易行,无二次污染。
其他摘要
本发明公开了一种二氧化钛纳米薄膜制备方法及二氧化钛纳米薄膜,本发明属于二氧化钛纳米薄膜加工领域。本发明的二氧化钛纳米薄膜制备方法包括如下步骤:S1、提供惰性气体;S2、对惰性气体进行耦合,同时对惰性气体点火,产生惰性气体的等离子体火炬;S3、向惰性气体的等离子体火炬的内部通入反应气体,产生含有反应气体的等离子体火炬;S4、通过含有反应气体的等离子体火炬作用样品表面。本发明的二氧化钛纳米薄膜制备方法,其制备过程简单、易行,无二次污染。
CPC分类号
C23C16/405 ; C23C16/513
IPC 分类号
C23C16/40 ; C23C16/513
INPADOC 法律状态
(+PATENT GRANT)[2021-09-21][CN]
INPADOC 同族专利数量
1
扩展同族专利数量
1
专利代理人
刘方
代理机构
广州嘉权专利商标事务所有限公司
相关链接[来源记录]
来源库
PatSnap
成果类型专利
条目标识符http://sustech.caswiz.com/handle/2SGJ60CL/338388
专题工学院_机械与能源工程系
推荐引用方式
GB/T 7714
邓辉. 二氧化钛纳米薄膜制备方法及二氧化钛纳米薄膜[P]. 2021-09-21.
条目包含的文件
条目无相关文件。
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