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题名

一种发光二极管及其制备方法

发明人
第一发明人
陈树明
申请人
南方科技大学
第一申请人
南方科技大学
第一申请人地址
518000 广东省深圳市南山区西丽学苑大道1088号
当前申请人
南方科技大学
当前申请人地址
518000 广东省深圳市南山区西丽学苑大道1088号 (广东,深圳,南山区)
当前第一申请人
南方科技大学
当前第一申请人地址
518000 广东省深圳市南山区西丽学苑大道1088号 (广东,深圳,南山区)
申请号
CN201510622188.8
申请日期
2015-09-25
公开(公告)号
CN105206761B
公开日期
2017-11-17
授权日期
2017-11-17
专利状态
授权
法律状态日期
2017-11-17
专利类型
授权发明
学校署名
第一
摘要
本发明实施例提供了一种发光二极管,包括基底,以及依次层叠设置在所述基底表面的第一电极、发光功能层和第二电极,所述发光功能层至少包括发光层,所述第二电极的材料为镓合金,所述镓合金的熔点低于30℃,在室温下为液态,所述镓合金的表面具有一层天然氧化层。该发光二极管由于采用镓合金金属电极,而镓合金在室温下具有流动性、形变性和可塑性,因此可通过打印、印刷、涂覆的方法成型,从而使整个发光二极管的制备无需采用真空蒸镀设备,实现了真正的全印刷光电器件。此外,该发光二极管由于采用镓合金金属电极,稳定性好,效率高。本发明实施例还提供了该发光二极管的制备方法。
其他摘要
The embodiment of the invention provides a light-emitting diode which comprises a substrate, and a first electrode, a light-emitting function layer and a second electrode which are sequentially arranged on the surface of the substrate in a stacked mode. The light-emitting function layer at least comprises a light-emitting layer. The second electrode is made of gallium alloy with the melting point lower than 30 DEG C and is in a liquid state at room temperature. The surface of the gallium alloy is provided with a layer of natural oxidation layer. Due to the fact that the light-emitting diode is provided with the gallium alloy metal electrode, and the gallium alloy has mobility, deformability and plasticity at the room temperature, the light-emitting diode can be formed through printing and coating, no vacuum evaporation equipment needs to be adopted for manufacturing the whole light-emitting diode, and the true all-printing photoelectric device is achieved. In addition, the light-emitting diode is provided with the gallium alloy metal electrode, thereby being good in stability and high in efficiency. The embodiment of the invention further provides a manufacturing method of the light emitting diode.
CPC分类号
H01L51/0021 ; H01L51/0022 ; H01L51/5203
IPC 分类号
H01L51/52 ; H01L51/00
INPADOC 法律状态
(+PATENT GRANT)[2017-11-17][CN]
INPADOC 同族专利数量
1
扩展同族专利数量
1
专利代理人
郝传鑫 ; 熊永强
代理机构
广州三环专利商标代理有限公司
相关链接[来源记录]
来源库
PatSnap
成果类型专利
条目标识符http://sustech.caswiz.com/handle/2SGJ60CL/338554
专题工学院_电子与电气工程系
工学院_材料科学与工程系
推荐引用方式
GB/T 7714
陈树明,彭辉仁,王为高. 一种发光二极管及其制备方法[P]. 2017-11-17.
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