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题名

量子点发光二极管及其制备方法和显示屏

发明人
第一发明人
陈树明
申请人
南方科技大学
第一申请人
南方科技大学
第一申请人地址
518055 广东省深圳市南山区西丽镇学苑大道1088号南方科技大学
当前申请人
南方科技大学
当前申请人地址
518055 广东省深圳市南山区西丽镇学苑大道1088号南方科技大学 (广东,深圳,南山区)
当前第一申请人
南方科技大学
当前第一申请人地址
518055 广东省深圳市南山区西丽镇学苑大道1088号南方科技大学 (广东,深圳,南山区)
申请号
CN201910392511.5
申请日期
2019-05-09
公开(公告)号
CN110265564B
公开日期
2022-03-11
授权日期
2022-03-11
专利状态
授权
法律状态日期
2022-03-11
专利类型
授权发明
学校署名
第一
摘要
本发明涉及一种量子点发光二极管及其制备方法和显示屏。上述量子点发光二极管包括基底、底电极、发光功能层、缓冲层和顶电极;其中:底电极层叠在基底上;发光功能层层叠在底电极远离基底的一侧,发光功能层包括量子点发光层;缓冲层层叠在发光功能层远离底电极的一侧,缓冲层的材料为质量比为1∶0.1~1∶1的ZnO基纳米粒子与聚合物的混合物;或者,缓冲层包括依次层叠在发光功能层远离底电极一侧的纳米粒子层、金属层及氧化物层,纳米粒子层的材料为ZnO基纳米粒子,氧化物层的功函大于5eV;顶电极层叠在缓冲层远离发光功能层的一侧,顶电极为透明电极。上述量子点发光二极管具有透明顶电极,且光电性能较好。
其他摘要
本发明涉及一种量子点发光二极管及其制备方法和显示屏。上述量子点发光二极管包括基底、底电极、发光功能层、缓冲层和顶电极;其中:底电极层叠在基底上;发光功能层层叠在底电极远离基底的一侧,发光功能层包括量子点发光层;缓冲层层叠在发光功能层远离底电极的一侧,缓冲层的材料为质量比为1∶0.1~1∶1的ZnO基纳米粒子与聚合物的混合物;或者,缓冲层包括依次层叠在发光功能层远离底电极一侧的纳米粒子层、金属层及氧化物层,纳米粒子层的材料为ZnO基纳米粒子,氧化物层的功函大于5eV;顶电极层叠在缓冲层远离发光功能层的一侧,顶电极为透明电极。上述量子点发光二极管具有透明顶电极,且光电性能较好。
CPC分类号
H01L51/5203 ; H01L51/56
IPC 分类号
H01L51/52 ; H01L51/56
INPADOC 法律状态
(+PATENT GRANT)[2022-03-11][CN]
INPADOC 同族专利数量
1
扩展同族专利数量
1
专利代理人
潘霞 ; 潘艳丽
代理机构
华进联合专利商标代理有限公司
相关链接[来源记录]
来源库
PatSnap
成果类型专利
条目标识符http://sustech.caswiz.com/handle/2SGJ60CL/338735
专题南方科技大学
推荐引用方式
GB/T 7714
陈树明,张恒,苏强. 量子点发光二极管及其制备方法和显示屏[P]. 2022-03-11.
条目包含的文件
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