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题名

一种隧穿式MEMS气压传感器及其用途

发明人
第一发明人
宋学锋
申请人
南方科技大学
第一申请人
南方科技大学
第一申请人地址
518055 广东省深圳市南山区西丽学苑大道1088号
当前申请人
南方科技大学
当前申请人地址
518055 广东省深圳市南山区西丽学苑大道1088号 (广东,深圳,南山区)
当前第一申请人
南方科技大学
当前第一申请人地址
518055 广东省深圳市南山区西丽学苑大道1088号 (广东,深圳,南山区)
申请号
CN202010529849.3
申请日期
2020-06-11
公开(公告)号
CN111693201B
公开日期
2022-04-12
授权日期
2022-04-12
专利状态
授权
法律状态日期
2022-04-12
专利类型
授权发明
学校署名
第一
摘要
本发明涉及一种隧穿式MEMS气压传感器及其用途。所述隧穿式MEMS气压传感器包括基底和依次设置于所述基底上的环状金属电极和石墨烯薄膜;所述石墨烯薄膜覆盖环状金属电极的中空腔体,且所述石墨烯薄膜的边缘设置在环状金属电极上。本发明首次将石墨烯材料运用到隧穿型气压传感器中,相比于普通金材料电极,石墨烯材料可以有效避免电迁移现象,提高气压传感器的寿命;同时由于隧穿电流在纳米级尺寸的电极尖端产生,气压传感器易于小型化,可以根据使用需求设计电极的尺寸与形状,设计原理相同的各种隧穿电流式气压传感器。
其他摘要
本发明涉及一种隧穿式MEMS气压传感器及其用途。所述隧穿式MEMS气压传感器包括基底和依次设置于所述基底上的环状金属电极和石墨烯薄膜;所述石墨烯薄膜覆盖环状金属电极的中空腔体,且所述石墨烯薄膜的边缘设置在环状金属电极上。本发明首次将石墨烯材料运用到隧穿型气压传感器中,相比于普通金材料电极,石墨烯材料可以有效避免电迁移现象,提高气压传感器的寿命;同时由于隧穿电流在纳米级尺寸的电极尖端产生,气压传感器易于小型化,可以根据使用需求设计电极的尺寸与形状,设计原理相同的各种隧穿电流式气压传感器。
CPC分类号
G01L9/0098
IPC 分类号
G01L9/00
INPADOC 法律状态
(+PATENT GRANT)[2022-04-12][CN]
INPADOC 同族专利数量
1
扩展同族专利数量
1
专利代理人
潘登
代理机构
北京品源专利代理有限公司
相关链接[来源记录]
来源库
PatSnap
成果类型专利
条目标识符http://sustech.caswiz.com/handle/2SGJ60CL/339034
专题南方科技大学
推荐引用方式
GB/T 7714
宋学锋,刘絮,李成. 一种隧穿式MEMS气压传感器及其用途[P]. 2022-04-12.
条目包含的文件
文件名称/大小 文献类型 版本类型 开放类型 使用许可 操作
【发明专利证书】一种隧穿式MEMS气压传(1305KB)专利--限制开放CC BY-NC-SA
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