南方科技大学知识苑(SUSTech KC): 硫化锌/氮化镓异质结及其制备方法和应用

题名	硫化锌/氮化镓异质结及其制备方法和应用
发明人	王干; 李红喜; 王琳晶 ; 吴鹏阳
第一发明人	王干
申请人	南方科技大学
第一申请人	南方科技大学
第一申请人地址	518055 广东省深圳市南山区西丽镇学苑大道1088号南方科技大学
当前申请人	南方科技大学
当前申请人地址	518055 广东省深圳市南山区西丽镇学苑大道1088号南方科技大学 (广东,深圳,南山区)
当前第一申请人	南方科技大学
当前第一申请人地址	518055 广东省深圳市南山区西丽镇学苑大道1088号南方科技大学 (广东,深圳,南山区)
申请号	CN201810798048.X
申请日期	2018-07-19
公开(公告)号	CN109103305B
公开日期	2019-12-03
授权日期	2019-12-03
专利状态	授权
法律状态日期	2019-12-03
专利类型	授权发明
学校署名	第一
摘要	本发明涉及一种硫化锌/氮化镓异质结及其制备方法。一种硫化锌/氮化镓异质结的制备方法，包括步骤：在气压小于4×10‑6Pa的真空条件下，以硫化锌为蒸发源，采用分子束外延法在氮化镓单晶衬底上生长硫化锌单晶层，得到硫化锌/氮化镓异质结，其中，蒸发源的温度为840℃～865℃，氮化镓单晶衬底的温度为450℃～465℃。上述硫化锌/氮化镓异质结的制备方法制得的硫化锌/氮化镓异质结的结晶度较好，适于产业化应用。
其他摘要	The invention relates to a zinc sulfide/gallium nitride heterojunction and a preparation method thereof. The preparation of the zinc sulfide/gallium nitride heterojunction comprises the steps of: preparing zinc sulfide/gallium nitride heterojunction at a pressure of less than 4*10Pa by growing a zinc sulfide single crystal layer on the gallium nitride single crystal substrate by molecular beamepitaxy (MBE) and using zinc sulfide as an evaporation source. The temperature of evaporation source is 840 DEG C-865 DEG C, and the temperature of gallium nitrid single crystal substrate is 450 DEGC-465 DEG C. The zinc sulfide/gallium nitride heterojunction prepared by the preparation method of the zinc sulfide/gallium nitride heterojunction has good crystallinity and is suitable for industrialapplication.
CPC分类号	H01L33/005 ; H01L33/26
IPC 分类号	H01L33/00 ; H01L33/26
INPADOC 法律状态	（+PATENT GRANT）[2019-12-03][CN]
INPADOC 同族专利数量	1
扩展同族专利数量	1
专利代理人	潘霞
代理机构	广州华进联合专利商标代理有限公司
相关链接	[来源记录]
来源库	PatSnap
成果类型	专利
条目标识符	http://sustech.caswiz.com/handle/2SGJ60CL/339254
专题	南方科技大学
推荐引用方式 GB/T 7714	王干,李红喜,王琳晶,等. 硫化锌/氮化镓异质结及其制备方法和应用[P]. 2019-12-03.