| 题名 | 厚度不受限制的NiGe单晶薄膜及其制备方法和应用 |
| 发明人 | |
| 第一发明人 | 邓云生
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| 申请人 | 南方科技大学
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| 第一申请人 | 南方科技大学
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| 第一申请人地址 | 518055 广东省深圳市南山区西丽学苑大道1088号
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| 当前申请人 | 南方科技大学
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| 当前申请人地址 | 518055 广东省深圳市南山区西丽学苑大道1088号 (广东,深圳,南山区)
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| 当前第一申请人 | 南方科技大学
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| 当前第一申请人地址 | 518055 广东省深圳市南山区西丽学苑大道1088号 (广东,深圳,南山区)
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| 申请号 | CN201810746122.3
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| 申请日期 | 2018-07-09
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| 公开(公告)号 | CN110060921B
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| 公开日期 | 2021-03-02
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| 授权日期 | 2021-03-02
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| 专利状态 | 授权
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| 法律状态日期 | 2021-03-02
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| 专利类型 | 授权发明
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| 学校署名 | 第一
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| 摘要 | 本发明涉及半导体材料技术领域，具体提供一种NiGe单晶薄膜及其制备方法和应用。所述制备方法包括以下步骤：提供洁净的Ge(001)基底；将Ge(001)基底置于真空中加热处理，获得预用基底；在真空下对预用基底进行Ni的反应蒸镀处理，使Ge(001)表面形成一层层NiGe单晶膜；在室温下，在NiGe单晶膜表面蒸镀一层Ni膜；在惰性气氛下对Ge(001)基底进行退火处理，使Ni膜扩散过NiGe单晶膜，并以NiGe单晶膜为单晶种子层，和Ge(001)基底发生固相反应，获得厚度不受限制的NiGe单晶薄膜。本方法可获得肖特基势垒低、接触电阻小且热稳定性良好的NiGe单晶薄膜，适用于MOSFET领域。 |
| 其他摘要 | 本发明涉及半导体材料技术领域，具体提供一种NiGe单晶薄膜及其制备方法和应用。所述制备方法包括以下步骤：提供洁净的Ge(001)基底；将Ge(001)基底置于真空中加热处理，获得预用基底；在真空下对预用基底进行Ni的反应蒸镀处理，使Ge(001)表面形成一层层NiGe单晶膜；在室温下，在NiGe单晶膜表面蒸镀一层Ni膜；在惰性气氛下对Ge(001)基底进行退火处理，使Ni膜扩散过NiGe单晶膜，并以NiGe单晶膜为单晶种子层，和Ge(001)基底发生固相反应，获得厚度不受限制的NiGe单晶薄膜。本方法可获得肖特基势垒低、接触电阻小且热稳定性良好的NiGe单晶薄膜，适用于MOSFET领域。 |
| CPC分类号 | H01L21/02104
; H01L21/02631
; H01L29/78
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| IPC 分类号 | H01L21/02
; H01L29/78
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| INPADOC 法律状态 | （+PATENT GRANT）[2021-03-02][CN]
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| INPADOC 同族专利数量 | 1
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| 扩展同族专利数量 | 1
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| 专利代理人 | 李艳丽
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| 代理机构 | 深圳中一联合知识产权代理有限公司
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| 相关链接 | [来源记录] |
| 来源库 | PatSnap
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| 成果类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://sustech.caswiz.com/handle/2SGJ60CL/339267 |
| 专题 | 理学院_物理系 公共分析测试中心 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 |
邓云生,何东升,邱杨,等. 厚度不受限制的NiGe单晶薄膜及其制备方法和应用[P]. 2021-03-02.
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| 条目包含的文件 | 条目无相关文件。 | |||||
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