| 题名 | 一种有效抑制锂金属电池枝晶不可控生长的改性集流体、其制备方法及用途 |
| 发明人 | |
| 第一发明人 | 程鑫
|
| 申请人 | 南方科技大学
|
| 第一申请人 | 南方科技大学
|
| 第一申请人地址 | 518000 广东省深圳市南山区西丽学苑大道1088号
|
| 当前申请人 | 南方科技大学
|
| 当前申请人地址 | 518000 广东省深圳市南山区西丽学苑大道1088号 (广东,深圳,南山区)
|
| 当前第一申请人 | 南方科技大学
|
| 当前第一申请人地址 | 518000 广东省深圳市南山区西丽学苑大道1088号 (广东,深圳,南山区)
|
| 申请号 | CN201810409972.4
|
| 申请日期 | 2018-05-02
|
| 公开(公告)号 | CN108615892B
|
| 公开日期 | 2022-01-04
|
| 授权日期 | 2022-01-04
|
| 专利状态 | 授权
; 复审
|
| 法律状态日期 | 2022-01-04
|
| 专利类型 | 授权发明
|
| 学校署名 | 第一
|
| 摘要 | 本发明公开了一种有效抑制锂金属电池枝晶不可控生长的改性集流体、其制备方法及用途，属于电池技术领域。本发明提供了一种新型结构的改性集流体，该改性集流体包括导电基底及位于所述导电基底表面的绝缘材料层，所述绝缘材料层具有凹陷结构(比如凹坑结构和/或凹槽结构，尤其是微纳级别的凹坑和/或凹槽)且凹陷结构处穿透绝缘材料层以暴露导电基底，通过采用该特定结构的改性集流体制备的负极，可以有效抑制锂金属电池枝晶不可控生长，避免了刺穿电池隔膜的现象，提高了锂电池的性能。本发明采用的微纳加工技术，工艺成熟稳定，可实现图形尺寸的精确控制，从纳米级到微米级别的图案均可制作。 |
| 其他摘要 | 本发明公开了一种有效抑制锂金属电池枝晶不可控生长的改性集流体、其制备方法及用途，属于电池技术领域。本发明提供了一种新型结构的改性集流体，该改性集流体包括导电基底及位于所述导电基底表面的绝缘材料层，所述绝缘材料层具有凹陷结构(比如凹坑结构和/或凹槽结构，尤其是微纳级别的凹坑和/或凹槽)且凹陷结构处穿透绝缘材料层以暴露导电基底，通过采用该特定结构的改性集流体制备的负极，可以有效抑制锂金属电池枝晶不可控生长，避免了刺穿电池隔膜的现象，提高了锂电池的性能。本发明采用的微纳加工技术，工艺成熟稳定，可实现图形尺寸的精确控制，从纳米级到微米级别的图案均可制作。 |
| CPC分类号 | H01M4/64
; H01M4/667
; H01M4/78
; H01M10/0525
; Y02E60/10
|
| IPC 分类号 | H01M4/64
; H01M4/66
; H01M4/78
; H01M10/0525
|
| INPADOC 法律状态 | （+PATENT GRANT）[2022-01-04][CN]
|
| INPADOC 同族专利数量 | 2
|
| 扩展同族专利数量 | 2
|
| 专利代理人 | 潘登
|
| 代理机构 | 北京品源专利代理有限公司
|
| 相关链接 | [来源记录] |
| 来源库 | PatSnap
|
| 成果类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://sustech.caswiz.com/handle/2SGJ60CL/339633 |
| 专题 | 南方科技大学 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 |
程鑫,卢周广,李志强,等. 一种有效抑制锂金属电池枝晶不可控生长的改性集流体、其制备方法及用途[P]. 2022-01-04.
|
| 条目包含的文件 | 条目无相关文件。 | |||||
| 个性服务 |
| 原文链接 |
| 推荐该条目 |
| 保存到收藏夹 |
| 查看访问统计 |
| 导出为Endnote文件 |
| 导出为Excel格式 |
| 导出为Csv格式 |
| Altmetrics Score |
| 谷歌学术 |
| 谷歌学术中相似的文章 |
| [程鑫]的文章 |
| [卢周广]的文章 |
| [李志强]的文章 |
| 百度学术 |
| 百度学术中相似的文章 |
| [程鑫]的文章 |
| [卢周广]的文章 |
| [李志强]的文章 |
| 必应学术 |
| 必应学术中相似的文章 |
| [程鑫]的文章 |
| [卢周广]的文章 |
| [李志强]的文章 |
| 相关权益政策 |
| 暂无数据 |
| 收藏/分享 |
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。
修改评论