题名 | 一种单晶碳化硅材料的加工设备 |
其他题名 | Processing equipment for single crystal silicon carbide material
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发明人 | |
第一发明人 | 赵永华
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申请人 | 南方科技大学
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第一申请人 | 南方科技大学
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第一申请人地址 | 518055 广东省深圳市南山区西丽学苑大道1088号
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当前申请人 | 南方科技大学
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当前申请人地址 | 518055 广东省深圳市南山区西丽学苑大道1088号 (广东,深圳,南山区)
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当前第一申请人 | 南方科技大学
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当前第一申请人地址 | 518055 广东省深圳市南山区西丽学苑大道1088号 (广东,深圳,南山区)
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申请号 | CN201920185878.5
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申请日期 | 2019-02-02
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公开(公告)号 | CN209737289U
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公开日期 | 2019-12-06
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授权日期 | 2019-12-06
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专利状态 | 授权
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法律状态日期 | 2019-12-06
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专利类型 | 实用新型
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学校署名 | 第一
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摘要 | 本实用新型涉及机械加工技术领域,提供了一种单晶碳化硅材料的加工设备,包括磨削装置和射流装置,射流装置用于对单晶碳化硅工件喷射电解液,磨削装置用于对喷射电解液后的单晶碳化硅材料进行磨削加工,使在工件表面被高速氧化后产生的氧化膜立刻被磨削去除,可增加磨削精度和磨削效率,磨削后不会对单晶碳化硅表面形成损伤层。 |
其他摘要 | The utility model relates to the technical field of machining. The utility model provides processing equipment for a single crystal silicon carbide material. The device comprises a grinding device anda jet device, the jetting device is used for jetting electrolyte to the single crystal silicon carbide workpiece; the grinding device is used for grinding the single crystal silicon carbide materialsprayed with the electrolyte, so that an oxide film generated after the surface of a workpiece is oxidized at a high speed is immediately ground and removed, the grinding precision and the grinding efficiency can be improved, and a damage layer cannot be formed on the surface of the single crystal silicon carbide material after grinding. |
IPC 分类号 | B24B27/033
; B28D1/00
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语种 | 中文
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INPADOC 法律状态 | (+PATENT GRANT)[2019-12-06][CN]
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INPADOC 同族专利数量 | 1
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扩展同族专利数量 | 1
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专利代理人 | 唐致明
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代理机构 | 广州嘉权专利商标事务所有限公司
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相关链接 | [来源记录] |
来源库 | PatSnap
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成果类型 | 专利 |
条目标识符 | http://sustech.caswiz.com/handle/2SGJ60CL/340501 |
专题 | 工学院_机械与能源工程系 创新创业学院 |
推荐引用方式 GB/T 7714 |
赵永华,陈钊杰,王宏强. 一种单晶碳化硅材料的加工设备[P]. 2019-12-06.
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条目包含的文件 | ||||||
文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | 操作 | |
一种单晶碳化硅材料的加工设备 .pdf(81KB) | -- | -- | 限制开放 | -- |
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