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题名

一种单晶碳化硅材料的加工设备

其他题名
Processing equipment for single crystal silicon carbide material
发明人
第一发明人
赵永华
申请人
南方科技大学
第一申请人
南方科技大学
第一申请人地址
518055 广东省深圳市南山区西丽学苑大道1088号
当前申请人
南方科技大学
当前申请人地址
518055 广东省深圳市南山区西丽学苑大道1088号 (广东,深圳,南山区)
当前第一申请人
南方科技大学
当前第一申请人地址
518055 广东省深圳市南山区西丽学苑大道1088号 (广东,深圳,南山区)
申请号
CN201920185878.5
申请日期
2019-02-02
公开(公告)号
CN209737289U
公开日期
2019-12-06
授权日期
2019-12-06
专利状态
授权
法律状态日期
2019-12-06
专利类型
实用新型
学校署名
第一
摘要

本实用新型涉及机械加工技术领域,提供了一种单晶碳化硅材料的加工设备,包括磨削装置和射流装置,射流装置用于对单晶碳化硅工件喷射电解液,磨削装置用于对喷射电解液后的单晶碳化硅材料进行磨削加工,使在工件表面被高速氧化后产生的氧化膜立刻被磨削去除,可增加磨削精度和磨削效率,磨削后不会对单晶碳化硅表面形成损伤层。

其他摘要

The utility model relates to the technical field of machining. The utility model provides processing equipment for a single crystal silicon carbide material. The device comprises a grinding device anda jet device, the jetting device is used for jetting electrolyte to the single crystal silicon carbide workpiece; the grinding device is used for grinding the single crystal silicon carbide materialsprayed with the electrolyte, so that an oxide film generated after the surface of a workpiece is oxidized at a high speed is immediately ground and removed, the grinding precision and the grinding efficiency can be improved, and a damage layer cannot be formed on the surface of the single crystal silicon carbide material after grinding.

IPC 分类号
B24B27/033 ; B28D1/00
语种
中文
INPADOC 法律状态
(+PATENT GRANT)[2019-12-06][CN]
INPADOC 同族专利数量
1
扩展同族专利数量
1
专利代理人
唐致明
代理机构
广州嘉权专利商标事务所有限公司
相关链接[来源记录]
来源库
PatSnap
成果类型专利
条目标识符http://sustech.caswiz.com/handle/2SGJ60CL/340501
专题工学院_机械与能源工程系
创新创业学院
推荐引用方式
GB/T 7714
赵永华,陈钊杰,王宏强. 一种单晶碳化硅材料的加工设备[P]. 2019-12-06.
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一种单晶碳化硅材料的加工设备 .pdf(81KB)----限制开放--
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