| 题名 | Investigation of Homogeneous Integration with GaN-based Micro-LED and Enhanced Mode HEMT |
| 作者 | |
| DOI | |
| 发表日期 | 2019
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| ISSN | 0097-966X
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| EISSN | 2168-0159
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| 会议录名称 | |
| 卷号 | 50
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| 期号 | S1
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| 页码 | 875-876
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| 学校署名 | 第一
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| 语种 | 英语
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| 相关链接 | [Scopus记录] |
| 收录类别 | |
| EI入藏号 | 20222912373370
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| Scopus记录号 | 2-s2.0-85134246499
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| 来源库 | Scopus
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| 引用统计 |
被引频次[WOS]：0
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| 成果类型 | 会议论文 |
| 条目标识符 | http://sustech.caswiz.com/handle/2SGJ60CL/356248 |
| 专题 | 南方科技大学 |
| 作者单位 | 1.Dept. of Electrical & Electronic Engineering,Southern University of Science and Technology,Shenzhen,China 2.Dept. of Electrical & Computer Engineering,Hong Kong University of Science and Technology,Hong Kong |
| 第一作者单位 | 南方科技大学 |
| 第一作者的第一单位 | 南方科技大学 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 |
Liu，Yibo,Liu，Yaying,Liu，Zhaojun. Investigation of Homogeneous Integration with GaN-based Micro-LED and Enhanced Mode HEMT[C],2019:875-876.
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| 条目包含的文件 | 条目无相关文件。 | |||||
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