| 题名 | Trap behaviours characterization of AlGaN/GaN high electron mobility transistors by room-temperature transient capacitance measurement (vol 6, 095021, 2016) |
| 作者 | |
| 通讯作者 | Yu, Hong-yu |
| 发表日期 | 2016-10
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| DOI | |
| 发表期刊 | |
| ISSN | 2158-3226
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| 卷号 | 6期号:10 |
| 相关链接 | [来源记录] |
| 收录类别 | |
| 语种 | 英语
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| 学校署名 | 第一
; 通讯
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| WOS研究方向 | Science & Technology - Other Topics
; Materials Science
; Physics
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| WOS类目 | Nanoscience & Nanotechnology
; Materials Science, Multidisciplinary
; Physics, Applied
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| WOS记录号 | WOS:000387571200053
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| 出版者 | |
| 来源库 | Web of Science
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| 引用统计 |
被引频次[WOS]：3
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| 成果类型 | 期刊论文 |
| 条目标识符 | http://sustech.caswiz.com/handle/2SGJ60CL/38499 |
| 专题 | 工学院_电子与电气工程系 |
| 作者单位 | 1.Southern Univ Sci & Technol, Dept Elect & Elect Engn, Shenzhen 518055, Peoples R China 2.Shenzhen Key Lab 3rd Generat Semicond Devices, Shenzhen, Peoples R China 3.Enkris Semicond Inc, NW 20v,99 Jinji Ave, Suzhou 215123, Peoples R China |
| 第一作者单位 | 电子与电气工程系 |
| 通讯作者单位 | 电子与电气工程系 |
| 第一作者的第一单位 | 电子与电气工程系 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 |
Dong, Bin,Lin, Jie,Wang, Ning,et al. Trap behaviours characterization of AlGaN/GaN high electron mobility transistors by room-temperature transient capacitance measurement (vol 6, 095021, 2016)[J]. AIP Advances,2016,6(10).
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| APA |
Dong, Bin.,Lin, Jie.,Wang, Ning.,Jiang, Ling-li.,Liu, Zong-dai.,...&Yu, Hong-yu.(2016).Trap behaviours characterization of AlGaN/GaN high electron mobility transistors by room-temperature transient capacitance measurement (vol 6, 095021, 2016).AIP Advances,6(10).
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| MLA |
Dong, Bin,et al."Trap behaviours characterization of AlGaN/GaN high electron mobility transistors by room-temperature transient capacitance measurement (vol 6, 095021, 2016)".AIP Advances 6.10(2016).
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