南方科技大学知识苑(SUSTech KC): 硒化铟薄膜的制备及薄膜晶体管器件应用

题名	硒化铟薄膜的制备及薄膜晶体管器件应用
其他题名	THE PREPARATION OF INDIUM SELENIDE THIN FILM AND THE APPLICATION OF INDIUM SELENIDE THIN FILM TRANSISTOR
姓名	朴英哲
学号	11749113
学位类型	硕士
学位专业	材料科学与工程
导师	程鑫
论文答辩日期	2019-06-01
论文提交日期	2019-07-13
学位授予单位	哈尔滨工业大学
学位授予地点	深圳
摘要	在2010年，Geim博士由于其在2004年通过机械剥离的方法制作出了二维单层石墨烯的工作而一举斩获了诺贝尔物理学奖掀起了二维材料的研究浪潮。然而由于石墨烯零带隙的性质严重限制了其在微电子器件与光电子器件领域的应用。与石墨烯类似，硒化铟是典型的Ⅲ-Ⅵ的层状的半导体材料，块材的硒化铟表现出了在大气环境下的良好的稳定性，很高的载流子迁移率以及很高的光吸收率，在微电子与光电子器件领域具有巨大的应用潜力，但是目前为止，制备的硒化铟的光电子与微电子器件主要是基于机械剥离法所得到的单层或少层二维硒化铟薄膜，虽然制备出的器件具有十分优秀的性能，但是由于材料主要是基于机械剥离法所获得的，故而其必然具有很强的随机性、很低的效率以及很低的产率，从而难以进行规模化的生产与应用。
其他摘要	In 2010, Dr. Geim seized the Nobel Prize in Physics for his work on two-dimensional graphene crystals in 2004. This work made the 2D material research become very popular all over the world. However, due to the nature of the zero-band gap of graphene, its application in the field of microelectronic devices and optoelectronic devices is severely limited.
关键词	硒化铟磁控溅射热蒸镀物理气相沉积场效应晶体管
其他关键词	Indium selenide magnetron sputtering thermal evaporation physical vapor deposition field effect transistor
语种	中文
培养类别	联合培养
成果类型	学位论文
条目标识符	http://sustech.caswiz.com/handle/2SGJ60CL/38744
专题	工学院_材料科学与工程系
作者单位	南方科技大学
推荐引用方式 GB/T 7714	朴英哲. 硒化铟薄膜的制备及薄膜晶体管器件应用[D]. 深圳. 哈尔滨工业大学,2019.

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