南方科技大学知识苑(SUSTech KC): 可扩展的超大尺寸发光二极管芯片及制造方法

题名	可扩展的超大尺寸发光二极管芯片及制造方法
发明人	刘胜; 魏巍; 王恺; 汪沛; 周圣军; 曹斌; 甘志银
申请号	CN200910052993.6
申请日期	2009-06-12
公开(公告)号	CN101924116B
公开日期	2010-12-22
授权日期	2014-04-23
专利状态	授权
专利类型	授权发明
学校署名	非南科大
摘要	一种可扩展的超大尺寸发光二极管芯片，其特征在于衬底上经外延生长形成叠加的缓冲层、N型掺杂层、有源层、P型掺杂层、电流扩展层，通过刻蚀、沉积形成金属P电极及金属N电极、通过对芯片刻蚀在P电极与N电极之间形成沟槽，沟槽的侧壁上沉积有反射层，衬底背面镀反射层。本发明的优点是芯片上刻蚀的沟槽可以阻挡光在芯片里的横向传输，提高了取光效率，能得到良好的电流注入，使芯片尺寸得以超大尺寸的扩展，制作工艺简单。
专利权人	刘胜
授权国家	中国
语种	中文
专利代理人	李平
代理机构	上海市华诚律师事务所
来源库	人工提交
成果类型	专利
条目标识符	http://sustech.caswiz.com/handle/2SGJ60CL/389750
专题	南方科技大学
作者单位	华中科技大学
推荐引用方式 GB/T 7714	刘胜,魏巍,王恺,等. 可扩展的超大尺寸发光二极管芯片及制造方法[P]. 2014-04-23.