题名 | Negative Gate Bias Induced Dynamic ON-Resistance Degradation in Schottky-Type p-Gan Gate HEMTs |
作者 | |
通讯作者 | Hua, Mengyuan |
发表日期 | 2022-05
|
DOI | |
发表期刊 | |
ISSN | 1941-0107
|
卷号 | 37期号:5页码:6018-6025 |
关键词 | |
相关链接 | [IEEE记录] |
收录类别 | |
学校署名 | 第一
; 通讯
|
EI入藏号 | 20214911284954
|
EI主题词 | Bias voltage
; Computer circuits
; Dynamics
; Gallium nitride
; High electron mobility transistors
; Impact ionization
; Logic gates
; Semiconductor junctions
; Switching
|
EI分类号 | Semiconducting Materials:712.1
; Electronic Circuits:713
; Semiconductor Devices and Integrated Circuits:714.2
; Logic Elements:721.2
; Computer Circuits:721.3
; Chemical Reactions:802.2
|
ESI学科分类 | ENGINEERING
|
来源库 | IEEE
|
全文链接 | https://ieeexplore.ieee.org/stamp/stamp.jsp?tp=&arnumber=9627573 |
引用统计 |
被引频次[WOS]:15
|
成果类型 | 期刊论文 |
条目标识符 | http://sustech.caswiz.com/handle/2SGJ60CL/395680 |
专题 | 工学院_电子与电气工程系 |
作者单位 | Department of Electrical and Electronic Engineering, Southern University of Science and Technology, Shenzhen, China |
第一作者单位 | 电子与电气工程系 |
通讯作者单位 | 电子与电气工程系 |
第一作者的第一单位 | 电子与电气工程系 |
推荐引用方式 GB/T 7714 |
Jiang, Zuoheng,Hua, Mengyuan,Huang, Xinran,et al. Negative Gate Bias Induced Dynamic ON-Resistance Degradation in Schottky-Type p-Gan Gate HEMTs[J]. IEEE Transactions on Power Electronics,2022,37(5):6018-6025.
|
APA |
Jiang, Zuoheng.,Hua, Mengyuan.,Huang, Xinran.,Li, Lingling.,Wang, Chengcai.,...&Chen, Kevin J..(2022).Negative Gate Bias Induced Dynamic ON-Resistance Degradation in Schottky-Type p-Gan Gate HEMTs.IEEE Transactions on Power Electronics,37(5),6018-6025.
|
MLA |
Jiang, Zuoheng,et al."Negative Gate Bias Induced Dynamic ON-Resistance Degradation in Schottky-Type p-Gan Gate HEMTs".IEEE Transactions on Power Electronics 37.5(2022):6018-6025.
|
条目包含的文件 | 条目无相关文件。 |
|
除非特别说明,本系统中所有内容都受版权保护,并保留所有权利。
修改评论