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题名

Negative Gate Bias Induced Dynamic ON-Resistance Degradation in Schottky-Type p-Gan Gate HEMTs

作者
通讯作者Hua, Mengyuan
发表日期
2022-05
DOI
发表期刊
ISSN
1941-0107
卷号37期号:5页码:6018-6025
关键词
相关链接[IEEE记录]
收录类别
SCI ; EI
学校署名
第一 ; 通讯
EI入藏号
20214911284954
EI主题词
Bias voltage ; Computer circuits ; Dynamics ; Gallium nitride ; High electron mobility transistors ; Impact ionization ; Logic gates ; Semiconductor junctions ; Switching
EI分类号
Semiconducting Materials:712.1 ; Electronic Circuits:713 ; Semiconductor Devices and Integrated Circuits:714.2 ; Logic Elements:721.2 ; Computer Circuits:721.3 ; Chemical Reactions:802.2
ESI学科分类
ENGINEERING
来源库
IEEE
全文链接https://ieeexplore.ieee.org/stamp/stamp.jsp?tp=&arnumber=9627573
引用统计
被引频次[WOS]:15
成果类型期刊论文
条目标识符http://sustech.caswiz.com/handle/2SGJ60CL/395680
专题工学院_电子与电气工程系
作者单位
Department of Electrical and Electronic Engineering, Southern University of Science and Technology, Shenzhen, China
第一作者单位电子与电气工程系
通讯作者单位电子与电气工程系
第一作者的第一单位电子与电气工程系
推荐引用方式
GB/T 7714
Jiang, Zuoheng,Hua, Mengyuan,Huang, Xinran,et al. Negative Gate Bias Induced Dynamic ON-Resistance Degradation in Schottky-Type p-Gan Gate HEMTs[J]. IEEE Transactions on Power Electronics,2022,37(5):6018-6025.
APA
Jiang, Zuoheng.,Hua, Mengyuan.,Huang, Xinran.,Li, Lingling.,Wang, Chengcai.,...&Chen, Kevin J..(2022).Negative Gate Bias Induced Dynamic ON-Resistance Degradation in Schottky-Type p-Gan Gate HEMTs.IEEE Transactions on Power Electronics,37(5),6018-6025.
MLA
Jiang, Zuoheng,et al."Negative Gate Bias Induced Dynamic ON-Resistance Degradation in Schottky-Type p-Gan Gate HEMTs".IEEE Transactions on Power Electronics 37.5(2022):6018-6025.
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