| 题名 | 一种基于电荷存储的增强型GaN高电子迁移率晶体管的研究(invited) |
| 作者 | |
| 发表日期 | 2017
|
| 会议名称 | 2017中国材料大会(cmc2017)
|
| 页码 | 12-13
|
| 会议日期 | 20170708
|
| 会议地点 | 银川
|
| 学校署名 | 第一
|
| 语种 | 中文
|
| 相关链接 | [万方记录] |
| 来源库 | WanFang
|
| 万方记录号 | 10488037
|
| 成果类型 | 会议论文 |
| 条目标识符 | http://sustech.caswiz.com/handle/2SGJ60CL/401999 |
| 专题 | 南方科技大学 |
| 作者单位 | 南方科技大学;深圳第三代半导体重点实验室 |
| 第一作者单位 | 南方科技大学 |
| 第一作者的第一单位 | 南方科技大学 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 |
王辉,蒋苓利,王宁,等. 一种基于电荷存储的增强型GaN高电子迁移率晶体管的研究(invited)[C],2017:12-13.
|
| 条目包含的文件 | 条目无相关文件。 | |||||
| 个性服务 |
| 原文链接 |
| 推荐该条目 |
| 保存到收藏夹 |
| 查看访问统计 |
| 导出为Endnote文件 |
| 导出为Excel格式 |
| 导出为Csv格式 |
| Altmetrics Score |
| 谷歌学术 |
| 谷歌学术中相似的文章 |
| [王辉]的文章 |
| [蒋苓利]的文章 |
| [王宁]的文章 |
| 百度学术 |
| 百度学术中相似的文章 |
| [王辉]的文章 |
| [蒋苓利]的文章 |
| [王宁]的文章 |
| 必应学术 |
| 必应学术中相似的文章 |
| [王辉]的文章 |
| [蒋苓利]的文章 |
| [王宁]的文章 |
| 相关权益政策 |
| 暂无数据 |
| 收藏/分享 |
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。
修改评论