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题名

Fabrication of CdSe/ZnS Quantum Dot Color Filters via Photolithography Process

作者
通讯作者Wang,Kai; Sun,Xiao Wei
DOI
发表日期
2018
ISSN
0097-966X
EISSN
2168-0159
会议录名称
卷号
49
期号
S1
摘要
Quantum dots color filter (QDCF) is potential to be a game-changer for display and micro LED industry. In this paper, highly fluorescent QDCF have been prepared by changing surface active ligand of CdSe@ZnS to nonreactive ligand for photolithographic patterning. The quantum dots (QDs) with inactivated ligand avoids chemical reaction during the photolithography process. The 4 μm thickness QDCF with 28.8% (red) absolute PL quantum yield ( λmax of 630.16 nm) has been achieved after the photolithograpy process, while the QDs with surface active sites failed to form a patterned film. This may be due to the coordination of activated bonds with photoresist and the occurrence of complexation reaction.
关键词
学校署名
通讯
语种
英语
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Scopus记录号
2-s2.0-85121546210
来源库
Scopus
引用统计
被引频次[WOS]:0
成果类型会议论文
条目标识符http://sustech.caswiz.com/handle/2SGJ60CL/406936
专题工学院_电子与电气工程系
作者单位
1.Department of Electrical & Electronic Engineering,Southern University of Science and Technology,Shenzhen,China
2.Tsinghua University,Beijing,China
通讯作者单位电子与电气工程系
推荐引用方式
GB/T 7714
Zhao,Bingxin,Lu,Rui,Hao,Junjie,et al. Fabrication of CdSe/ZnS Quantum Dot Color Filters via Photolithography Process[C],2018.
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