| 题名 | Ultrathin Indium selenide (In2Se3) thin films and field-effect transistors for active matrix addressable Micro-LEDs |
| 作者 | |
| 通讯作者 | Wang，Heshen |
| DOI | |
| 发表日期 | 2018
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| ISSN | 0097-966X
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| EISSN | 2168-0159
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| 会议录名称 | |
| 卷号 | 49
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| 期号 | S1
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| 学校署名 | 通讯
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| 语种 | 英语
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| 相关链接 | [Scopus记录] |
| Scopus记录号 | 2-s2.0-85097333206
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| 来源库 | Scopus
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| 引用统计 |
被引频次[WOS]：0
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| 成果类型 | 会议论文 |
| 条目标识符 | http://sustech.caswiz.com/handle/2SGJ60CL/411956 |
| 专题 | 南方科技大学 |
| 作者单位 | 1.Sun Yat-sen University,Guangzhou,China 2.Southern University of Science and Technology,Shenzhen,China 3. |
| 第一作者单位 | 南方科技大学 |
| 通讯作者单位 | 南方科技大学 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 |
Wang，Heshen,Liu，Qiye,Feng，Xuemeng,et al. Ultrathin Indium selenide (In2Se3) thin films and field-effect transistors for active matrix addressable Micro-LEDs[C],2018.
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| 条目包含的文件 | 条目无相关文件。 | |||||
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